一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用

摘要

本发明涉及一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置，包括在轨道上顺次设置的第一扩散加热炉和第二扩散加热炉；所述第一扩散加热炉为一端封闭的槽形，所述第二扩散加热炉呈中空环形；在所述轨道的一端，且在第二扩散加热炉的后方设置有支架，在所述支架上安装有一端封闭、一端开口设置的石英管。在所述石英管内、纵向顺次设置有第一热电偶和第二热电偶，石英舟的前半部设置在第一热电偶上，石英舟的后半部设置在第二热电偶上。本发明所述的装置采用扩散源与芯片分开并采用双温区控制扩散源和芯片的温度，扩散过程中分别控制以确保炉温的稳定；本发明防止激光器芯片表层GaAs在扩散温度下大量地分解，得到表面光亮,Zn浓度分布均匀,重复性好,无损伤的高浓度表面层的特点。