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SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
召开年:
2016
召开地:
BurlingameUS)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
Stability optimization of monolithic 3-D MoS2-n/WSe2-p SRAM cells for superthreshold and near-/sub-threshold applications
机译:
适用于超阈值和近/亚阈值应用的单片3-D MoS2-n / WSe2-p SRAM单元的稳定性优化
作者:
Chang-Hung Yu
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
SRAM cells;
Wireless sensor networks;
Stacking;
Stability analysis;
Standards;
Optimization;
2.
An all-digital PLL with SAR frequency locking system in 65nm SOTB CMOS
机译:
具有65nm SOTB CMOS的SAR频率锁定系统的全数字PLL
作者:
Keita Arai
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Clocks;
Phase locked loops;
Logic gates;
Oscillators;
Frequency control;
Frequency synthesizers;
Time-frequency analysis;
3.
Influence of source-drain engineering and temperature on split-capacitance characteristics of FDSOI p-i-n gated diodes
机译:
源漏工程和温度对FDSOI p-i-n栅极二极管的分电容特性的影响
作者:
K. R. A. Sasaki
;
C. Navarro
;
M. Bawedin
;
F. Andrieu
;
J. A. Martino
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
TFETs;
Films;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Temperature measurement;
4.
Transport in TriGate nanowire FET: Cross-section effect at the nanometer scale
机译:
TriGate纳米线FET中的传输:纳米尺度的截面效应
作者:
J. Pelloux-Prayer
;
M. Cassé
;
S. Barraud
;
F. Triozon
;
Z. Zeng
;
Y.-M. Niquet
;
J.-L. Rouvière
;
G. Reimbold
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Temperature measurement;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Scattering;
Electron mobility;
Phonons;
5.
A high-performance bitmap-index-based query processor on 65-nm SOTB CMOS process
机译:
基于65纳米SOTB CMOS工艺的高性能基于位图索引的查询处理器
作者:
Xuan-Thuan Nguyen
;
Hong-Thu Nguyen
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Micromechanical devices;
Data analysis;
Indexes;
CMOS process;
Leakage currents;
Clocks;
6.
Ns laser annealing for junction activation preserving inter-tier interconnections stability within a 3D sequential integration
机译:
Ns激光退火用于结激活,可在3D顺序集成中保持层间互连的稳定性
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Acosta-Alba
;
B. Mathieu
;
S. Kerdilès
;
M-P. Samson
;
B. Previtali
;
N. Rambal
;
V. Lapras
;
F. Ibars
;
A. Roman
;
R. Kachtouli
;
P. Besson
;
J-P. Nieto
;
L. Pasini
;
L. Brunet
;
F. Aussenac
;
J-M. Hartmann
;
F. Mazzamuto
;
I. Toqué-Trésonne
;
K. Huet
;
P. Batude
;
M. Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Semiconductor lasers;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Junctions;
Measurement by laser beam;
7.
Competitive 1T-DRAM in 28 nm FDSOI technology for low-power embedded memory
机译:
具有竞争优势的28nm FDSOI技术的1T-DRAM,用于低功耗嵌入式存储器
作者:
H. El Dirani
;
M. Bawedin
;
K. Lee
;
M. Parihar
;
X. Mescot
;
P. Fonteneau
;
Ph. Galy
;
F. Gamiz
;
Y-T. Kim
;
P. Ferrari
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Random access memory;
Anodes;
Logic gates;
Capacitors;
P-i-n diodes;
Cathodes;
8.
Down to 15nm BOX: SOI extendability for planar fully depleted application beyond 22FD
机译:
低至15nm的BOX:SOI可扩展性,适用于22FD以上的平面完全耗尽的应用
作者:
W. Schwarzenbach
;
F. Allibert
;
C. Le Royer
;
L. Grenouillet
;
C. Malaquin
;
C. Bertrand-Giuliani
;
F. Boedt
;
S. Loubriat
;
C. Michau
;
D. Parissi
;
B.-Y. Nguyen
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Thickness measurement;
Implants;
Logic gates;
Finishing;
Electric breakdown;
9.
Monolithic 3D IC vs. TSV-based 3D IC in 14nm FinFET technology
机译:
14nm FinFET技术的单片3D IC与基于TSV的3D IC
作者:
Sandeep Kumar Samal
;
Deepak Nayak
;
Motoi Ichihashi
;
Srinivasa Banna
;
Sung Kyu Lim
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Through-silicon vias;
Two dimensional displays;
Logic gates;
Layout;
FinFETs;
10.
High-speed epitaxial lift-off for III-V-on-insulator transistors on Si substrates
机译:
硅衬底上III-V-on-insulator晶体管的高速外延剥离
作者:
SangHyeon Kim
;
Dae-Myeong Geum
;
Seong Kwang Kim
;
Hyung-jun Kim
;
Jin Dong Song
;
Won Jun Choi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Gallium arsenide;
Substrates;
Surface cleaning;
Surface morphology;
Etching;
11.
NeuroSensor: A 3D image sensor with integrated neural accelerator
机译:
NeuroSensor:具有集成神经加速器的3D图像传感器
作者:
M. F. Amir
;
D. Kim
;
J. Kung
;
D. Lie
;
S. Yalamanchili
;
S. Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Bandwidth;
Random access memory;
Memory management;
Computational modeling;
Feature extraction;
Image sensors;
12.
Bonding based channel transfer and low temperature process for monolithic 3D integration platform development
机译:
基于键合的通道传输和低温工艺,用于单片3D集成平台开发
作者:
Rino Choi
;
Hyun-Yong Yu
;
Hyungsub Kim
;
Han-Youl Ryu
;
Hee-Kyung Bae
;
Kevin Kinam Choi
;
Yong-Won Cha
;
Changhwan Choi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Plasma temperature;
Surface treatment;
Silicon;
Three-dimensional displays;
Annealing;
Bonding;
Ions;
13.
Cost model for monolithic 3D integrated circuits
机译:
单片3D集成电路的成本模型
作者:
Daniel Gitlin
;
Maud Vinet
;
Fabien Clermidy
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Complexity theory;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Two dimensional displays;
Solid modeling;
14.
Towards fully integrated 28nm UTBB FD-SOI IoT node: The sub-50μW RF receiver
机译:
迈向完全集成的28nm UTBB FD-SOI IoT节点:低于50μW的RF接收器
作者:
B. Martineau
;
C. Jany
;
F. Todeschini
;
D. Morche
;
E. Mercier
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
wireless sensor networks;
Internet of Things;
low-power electronics;
radio receivers;
silicon-on-insulator;
system-on-chip;
15.
Correlations between plasma induced damage and negative bias temperature instability in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
机译:
等离子体诱发的损伤与65 nm体和薄盒FDSOI工艺中负偏压温度不稳定性之间的相关性
作者:
Ryo Kishida
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Degradation;
Correlation;
Antenna measurements;
16.
A radiation-hard layout structure to control back-gate biases in a 65 nm thin-BOX FDSOI process
机译:
防辐射布局结构可在65 nm薄盒FDSOI工艺中控制背栅偏置
作者:
Junki Yamaguchi
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Silicon-on-insulator;
Layout;
Logic gates;
MOS devices;
Transistors;
Rails;
17.
3D stacked SOI-CMOS pixel detector using Au micro-bump junctions
机译:
使用Au微凸点结的3D堆叠式SOI-CMOS像素检测器
作者:
Makoto Motoyoshi
;
Toshinobu Miyoshi
;
Masayuki Ikebec
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Gold;
Junctions;
Bonding;
Detectors;
Resistance;
Resists;
Surface treatment;
18.
In-pixel A/D converters with 120-dB dynamic range using event-driven correlated double sampling for stacked SOI image sensors
机译:
具有事件驱动的相关双采样的,具有120dB动态范围的像素内A / D转换器,用于堆叠式SOI图像传感器
作者:
Masahide Goto
;
Yuki Honda
;
Toshihisa Watabe
;
Kei Hagiwara
;
Masakazu Nanba
;
Yoshinori Iguch
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Eiji Higurashi
;
Hiroshi Toshiyoshi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
CMOS image sensors;
Timing;
Lighting;
Dynamic range;
Logic circuits;
Analog-digital conversion;
19.
Architecture enhancements in 65nm SOTB power reconfigurable FPGA by fine-grained body biasing
机译:
通过细粒度的偏置,增强了65nm SOTB功率可重配置FPGA的架构
作者:
Masakazu Hioki
;
Toshihiro Katashita
;
Hanpei Koike
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Field programmable gate arrays;
Clocks;
Decision support systems;
20.
High density SRAM bitcell architecture in 3D sequential CoolCube™ 14nm technology
机译:
采用3D顺序CoolCube™14nm技术的高密度SRAM位单元架构
作者:
M. Brocard
;
R. Boumchedda
;
J. P. Noel
;
K. C. Akyel
;
B. Giraud
;
E. Beigne
;
D. Turgis
;
S. Thuries
;
G. Berhault
;
O. Billoint
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Random access memory;
MOS devices;
Logic gates;
Transistors;
Layout;
Robustness;
21.
Ultra low energy FDSOI asynchronous reconfiguration network for an IoT wireless sensor network node
机译:
用于物联网无线传感器网络节点的超低能耗FDSOI异步重配置网络
作者:
Soundous Chairat
;
Edith Beigne
;
Florent Berthier
;
Ivan Miro-Panades
;
Marc Belleville
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Topology;
Network topology;
Silicon carbide;
Wireless sensor networks;
Communication networks;
Protocols;
Wires;
22.
Silicon thickness variation of FD-SOI wafers investigated by differential reflective microscopy
机译:
FD-SOI晶片的硅厚度变化通过差分反射显微镜研究
作者:
J. Auerhammer
;
C. Hartig
;
K. Wendt
;
R. van Oostrum
;
G. Pfeiffer
;
S. Bayer
;
B. Srocka
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Ellipsometry;
Thickness measurement;
Image resolution;
Transistors;
Semiconductor device measurement;
Surface topography;
23.
Recent advances in low temperature process in view of 3D VLSI integration
机译:
鉴于3D VLSI集成,低温工艺的最新进展
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Batude
;
L. Brunet
;
V. Mazzocchi
;
C-M.V. Lu
;
F. Deprat
;
J. Micout
;
M-P. Samson
;
B. Previtali
;
P. Besombes
;
N. Rambal
;
V. Lapras
;
F. Andrieu
;
O. Billoint
;
M. Brocard
;
S. Thuries
;
G. Cibrario
;
P. Acosta-Alba
;
B. Mathieu
;
S. Kerdilès
;
F. Nemouchi
;
C. Arvet
;
P. Besson
;
V. Loup
;
R. Gassilloud
;
X. Garros
;
C. Leroux
;
V. Beugin
;
C. Guerin
;
D. Benoit
;
L. Pasini
;
J-M. Hartmann
;
M. Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Thermal stability;
Annealing;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Very large scale integration;
Epitaxial growth;
Laser stability;
24.
Influence of the crystal orientation on the operation of junctionless nanowire transistors
机译:
晶体取向对无结纳米线晶体管工作的影响
作者:
Renan Trevisoli
;
Rodrigo T. Doria
;
Michelly de Souza
;
Marcelo A. Pavanello
;
Sylvain Barraud
;
Maud Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Standards;
Transistors;
Logic gates;
Transconductance;
Performance evaluation;
Threshold voltage;
Nanoscale devices;
25.
Modeling the impact of the vertical doping profile on FinFET SRAM VT mismatch
机译:
模拟垂直掺杂分布对FinFET SRAM VT不匹配的影响
作者:
David Burnett
;
Xusheng Wu
;
Seong-Yeol Mun
;
Shesh Pandey
;
Manfred Eller
;
Sanjay Parihar
;
Sri Samavedam
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Doping;
Semiconductor process modeling;
Random access memory;
Logic gates;
FinFETs;
Data models;
26.
Low power highly linear temperature sensor based on SOI lateral PIN diodes
机译:
基于SOI横向PIN二极管的低功耗高线性温度传感器
作者:
Michelly de Souza
;
Marcelo Antonio Pavanello
;
Denis Flandre
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
PIN photodiodes;
Semiconductor diodes;
Linearity;
Sensitivity;
Temperature distribution;
27.
Challenges and opportunities of vertical FET devices using 3D circuit design layouts
机译:
使用3D电路设计布局的垂直FET器件的挑战和机遇
作者:
A. Veloso
;
T. Huynh-Bao
;
E. Rosseel
;
V. Paraschiv
;
K. Devriendt
;
E. Vecchio
;
C. Delvaux
;
B. T. Chan
;
M. Ercken
;
Z. Tao
;
W. Li
;
E. Altamirano-Sánchez
;
J. J. Versluijs
;
S. Brus
;
P. Matagne
;
N. Waldron
;
J. Ryckaert
;
D. Mocuta
;
N. Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Doping;
Random access memory;
Logic gates;
Wires;
Transistors;
Silicon;
Electrodes;
28.
State-of-the-art ESD protection devices and techniques for digital and analog technologies
机译:
用于数字和模拟技术的最新ESD保护设备和技术
作者:
Akram A. Salman
;
Farzan Farbiz
;
Aravind Appaswamy
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Stress;
Junctions;
Thyristors;
Light emitting diodes;
Logic gates;
Electronic ballasts;
29.
Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes
机译:
低温操作对采用STI最初和最后工艺制造的长沟道应变Ge pFinFET的影响
作者:
Alberto Vinícius de Oliveira
;
Eddy Simoen
;
Paula Ghedini Der Agopian
;
João Antonio Martino
;
Jérôme Mitard
;
Liesbeth Witters
;
Nadine Collaert
;
Aaron Thean
;
Cor Claeys
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Logic gates;
Silicon;
Strain;
Silicon germanium;
Performance evaluation;
Germanium;
30.
Charge plasma based partial-ground-plane-MOSFET on selective buried oxide (SELBOX)
机译:
在选择性掩埋氧化物(SELBOX)上充电基于等离子体的部分地平面MOSFET
作者:
Faisal Bashir
;
Sajad A Loan
;
Asim Majeed Murshid
;
Abdulrahman M. Alamoud
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Plasmas;
Doping;
Performance evaluation;
Metals;
Logic gates;
Two dimensional displays;
31.
Tunnel FETs for low power electronics
机译:
低功率电子设备的隧道FET
作者:
Anne Vandooren
;
Alireza Alian
;
Anne Verhulst
;
Jacopo Franco
;
Rita Rooyackers
;
Quentin Smets
;
Devin Verreck
;
Niamh Waldron
;
Dan Mocuta
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Logic gates;
Junctions;
Photonic band gap;
Silicon;
MOSFET;
32.
Use of back gate bias to improve the performance of n- and p-type UTBB transistors-based self-cascode structures applied to current mirrors
机译:
使用背栅偏置来改善应用于电流镜的基于n型和p型UTBB晶体管的共源共栅结构的性能
作者:
R.T. Doria
;
R. Trevisoli
;
M. de Souza
;
M.A. Pavanello
;
D. Flandre
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Periodic structures;
Logic gates;
Mirrors;
Performance evaluation;
Silicon;
MOSFET;
33.
A 64 kb multi-threshold SRAM array with novel differential 8T bitcell in 32 nm SOI CMOS technology
机译:
具有32 nm SOI CMOS技术的新型差分8T位单元的64 kb多阈值SRAM阵列
作者:
Samira Ataei
;
James E. Stine
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Random access memory;
Transistors;
Stability analysis;
Delays;
CMOS technology;
Computer architecture;
34.
Sub-pJ per operation scalable computing: The PULP experience
机译:
每个操作可进行sub-pJ可扩展计算:PULP经验
作者:
Davide Rossi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
system-on-chip;
energy conservation;
low-power electronics;
parallel programming;
performance evaluation;
power aware computing;
shared memory systems;
35.
A 1.95GHz 28dBm fully integrated packaged power amplifier presenting a 3G FOM of 80 (PAE+ACLR) designed in H9SOIFEM CMOS 130nm: Development of an optimized high performances RF SOI power cell
机译:
1.95GHz 28dBm全集成封装功率放大器,采用H9SOIFEM CMOS 130nm设计,具有80%的3G FOM(PAE + ACLR):开发优化的高性能RF SOI功率单元
作者:
Vincent Knopik
;
Guillaume Bertrand
;
Augustin Monroy
;
Sylvie Gachon
;
Julien Morelle
;
Philippe Cathelin
;
Benoit Butaye
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Transistors;
Radio frequency;
Power amplifiers;
Power transistors;
Topology;
Load modeling;
Semiconductor device modeling;
36.
Design, fabrication, and characterization of ultralow current operational-amplifier in the weak inversion mode in XFAB-XT018 technology
机译:
XFAB-XT018技术中弱反相模式下的超低电流运算放大器的设计,制造和表征
作者:
Farzin Akbar
;
Marco Ramsbeck
;
Elias Kogel
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
MOSFET;
Threshold voltage;
Voltage measurement;
Gain;
37.
Impact of InxGa1−x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs
机译:
InGaAs TFET中InxGa1-x成分和源极Zn扩散温度对本征电压增益的影响
作者:
C. Bordallo
;
J. Martino
;
P. Agopian
;
A. Alian
;
Y. Mois
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
A. Verhulst
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
N. Collaert
;
A. Thean
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
TFETs;
Zinc;
Tunneling;
Indium gallium arsenide;
Temperature dependence;
Photonic band gap;
38.
Super steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET's of ultra low drain voltage=0.1V with body bias below 1.0V
机译:
超陡峭的亚阈值斜率PN体绑定SOI FET,超低漏极电压= 0.1V,体偏置低于1.0V
作者:
Takahiro Yoshida
;
Jiro Ida
;
Takashi Horii
;
Masao Okihara
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Field effect transistors;
Impurities;
Solid modeling;
Bipolar transistors;
Logic gates;
Three-dimensional displays;
Voltage measurement;
39.
Session 1: Keynote speakers
机译:
第一场:主题演讲者
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
40.
Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width
机译:
背栅偏置对SOIΩ栅纳米线的影响低至10 nm
作者:
L. M. Almeida
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
;
S. Barraud
;
M. Vinet
;
O. Faynot
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Nanoscale devices;
Silicon;
Transistors;
Electrostatics;
Threshold voltage;
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