Field effect transistors; Impurities; Solid modeling; Bipolar transistors; Logic gates; Three-dimensional displays; Voltage measurement;
机译:具有陡峭SS的PN体绑扎式SOI FET,体电压为1V或更低,漏极电压为0.1V
机译:具有陡峭SS的PN体绑扎式SOI FET,体电压为1V或更低,漏极电压为0.1V
机译:身体电压1V或更多DORAIN电压0.1 V PN-BUID与SS绑定SOI FET
机译:超陡亚多斯斜坡PN-Body将SOI FET的超低漏极电压= 0.1V,体偏置低1.0V
机译:具有抑制的浮体效应的低压SOI MOSFET
机译:正非线性电容:铁电FET中陡峭的亚阈值斜率的起因
机译:正非线性电容:铁电FET中陡亚坡的起源
机译:118-H-6:2,105-H反应堆辅助支撑区域,低于等级结构和下层土壤的清理验证包; 118-H-6:3,105-H反应堆燃料储存盆和下层土壤; 118-H-6:3燃料储存盆地深区边坡土壤; 100-H-9,100-H-10和100-H-13法国排水沟; 100-H-11和100-H-12扩展盒法国排水管;和100-H-14和100-H-31表面污染区