ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET

摘要

PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN~+層から薄いN~-層に見直すことで、ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なサブスレッショルド特性（Subthreshold Slope：SS）が出ることを確認した．また，シミュレーションでもN層濃度の違いにより急峻なSS特性が出るボディ電圧の差を再現できた。さらに、シミュレーション解析によりN~+層、N~-層を使う場合、急峻なSS特性を発生させるには、最適な幅があることが分かった．