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【2h】

Positive non-linear capacitance: the origin of the steep subthreshold-slope in ferroelectric FETs

机译：正非线性电容：铁电FET中陡亚坡的起源

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Md Nur K. Alam; P. Roussel; M. Heyns; J. Van Houdt;
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年度 2019
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1. Positive non-linear capacitance: the origin of the steep subthreshold-slope in ferroelectric FETs [J] . Nur K. Alam, P. Roussel, M. Heyns, Scientific reports. . 2019,第1期

机译：正非线性电容：铁电FET中陡亚坡的起源
2. Design of steep-slope negative-capacitance FinFETs for dense integration: Importance of appropriate ferroelectric capacitance and short-channel effects [J] . Ota Hiroyuki, Hattori Junichi, Asai Hidehiro, Japanese journal of applied physics . 2018,第4S期

机译：用于密集集成的陡坡负电容FinFET的设计：适当铁电电容和短沟道效应的重要性
3. Structural advantages of silicon-on-insulator FETs over FinFETs in steep subthreshold-swing operation in ferroelectric-gate FETs [J] . Ota Hiroyuki, Migita Shinji, Hattori Junichi, Japanese journal of applied physics . 2017,第4S期

机译：在铁电栅FET的陡峭亚阈值摆动操作中，绝缘体上硅FET优于FinFET的结构优势
4. Negative capacitance FETs with steep switching by ferroelectric Hf-based oxide [C] . M. H. Lee, P.-G. Chen, S.-T. Fan, International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications . 2017

机译：通过铁电H型氧化物进行陡峭开关的负电容FET
5. Ferroelectric capacitance memory: Characterization of an autonous non-volatile ferroelectric memory latch. [D] . John, Caroline Sangeetha. 2012

机译：铁电电容存储器：自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
6. Positive non-linear capacitance: the origin of the steep subthreshold-slope in ferroelectric FETs [O] . Md Nur K. Alam, P. Roussel, M. Heyns, -1

机译：正非线性电容：铁电FET中陡峭的亚阈值斜率的起因
7. On device design for steep-slope negative-capacitance field-effect-transistor operating at sub-0.2V supply voltage with ferroelectric HfO2 thin film [O] . Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto 2016

机译：利用铁电HfO2薄膜在低于0.2V电源电压下工作的陡坡负电容场效应晶体管器件设计

Positive non-linear capacitance: the origin of the steep subthreshold-slope in ferroelectric FETs

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