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机译:从传导机制的角度看,NW-TFET直径对效率和固有电压增益的影响
University of São Paulo, São Paulo, Brazil;
Analog performance; band-to-band tunneling (BTBT); conduction mechanism; tunnel field effect transistor (TFET); tunnel field effect transistor (TFET).;
机译:高温下SOI和块状FinFET之间的固有电压增益和单位增益频率的比较分析
机译:硅固有体系中的带内跃迁的光谱发射法的证据
机译:硅固有体系中的导电带内跃迁的光谱发射法证据
机译:垂直纳米线TFET直径对不同反转条件下固有电压增益的影响
机译:本征神经元中电压门控通道的增益控制机制
机译:NW-TFET直径对导通制度透视的效率和内在电压增益的影响