KEY WORDS: EUV; proximity effect; point spread function; data preparation; process correction; 50kV Lithography; photo mask;
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:使用现有的照片掩模制造能力制造用于EUV照片光刻的自对准交替相移照片掩模的简单方法
机译:用于下一代掩模制造的掩模工艺邻近校正
机译:为EUV掩模制造进入掩模过程校正时代
机译:针对大面积增材制造工艺优化的掩模图像投影
机译:解开掩盖和掩盖刺激的神经处理事件相关对侧的方法–脑电的同侧差异潜力
机译:新型EUV面罩吸收器评估支持下一代EUV成像