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周鹏飞; 李艳秋; 尚永红;
中国科学院电工研究所,北京,100080;
中国科学院研究生院,北京,100039;
极紫外光刻; 热变形; 掩模版; 曝光; 有限元方法; 抗蚀剂;
机译:铬图案特性对曝光过程中光学掩模版的热机械变形对图像放置的影响
机译:曝光卡盘过程中极端紫外光刻掩模版中的颗粒诱导变形
机译:选择性激光诱导EUV掩模版夹具和夹头制造的蚀刻
机译:曝光过程中EUV掩模版的热力学建模
机译:基于人工神经网络的增材制造过程中热变形的几何补偿
机译:使用极端紫外(EUV)辐射和EUV诱导的氮等离子体的聚醚醚酮(PEEK)的物理化学表面改性
机译:EUV和非EUV检查掩模版缺陷修复网站
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。
机译:减少掩模版热变形的曝光设备和曝光方法
机译:减少掩模版热变形的曝光设备和方法
机译:防止掩模版热变形的曝光装置和使用该装置的曝光方法
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