机译:通过表面处理在GaN发光二极管应用中在反应离子刻蚀的n型GaN上形成非合金Ti / Al / Ni / Au低阻欧姆接触
机译:使用Ti / Au / Ni / Au多层金属系统与n型多晶硅的低电阻欧姆接触
机译:减少的功函数金属间晶种层允许多孔n-GaN的生长和低电阻率,欧姆电子传输
机译:金属催化多孔N型GaN层:低电阻率欧姆接触和单步MgO / GaN二极管形成
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:等离子体电子通量对InGaN / GaN发光二极管p-GaN上超薄锡掺杂氧化铟接触层的无损溅射溅射的影响
机译:通过在金属和P-GaN层之间添加SWCNT金属化层间来改善Au / Ni-Mg / p-GaN触点的欧姆特性
机译:p型和n型GaN上的W和W si(x)欧姆接触;真空科学与技术杂志a.