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Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices
Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices
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1.
Nano-Porous TiO_2 Photoanode for Higher Electrolyte Accessibility Using Micro-fibrillated Cellulose as a Sacrificial Template
机译:
纳米多孔TiO_2使用微原型纤维素作为牺牲模板更高电解质可替代性的光电码
作者:
Yan Li
;
Lawrence. T. Drzal
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
2.
Metal catalyzed porous n-type GaN layers: low resistivity ohmic contacting and single-step MgO/GaN diode formation
机译:
金属催化多孔N型GaN层:低电阻率欧姆接触和单步MgO / GaN二极管形成
作者:
O. V. Bilousov
;
J. J. Carvajal
;
D. Drouin
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
3.
Electrodeposited Wi-de-bandgap Semiconducting ZnO and CuSCN Thin Films and Nanowires for Interface Engineering of Polymer Solar Cells
机译:
用于聚合物太阳能电池界面工程的电沉积的Wi-De-Bandgap半导体ZnO和CUSCN薄膜和纳米线
作者:
C. Chappaz-Gillot
;
S. Berson
;
S. Sanchez
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
4.
Simulation of Thermal Effects on Hydrogen-Terminated Diamond MOSFETs
机译:
氢封端金刚石MOSFET的热效应模拟
作者:
Xi Zhou
;
Frances Williams
;
Sacharia Albin
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
5.
Improving the Current Density and the Coulombic Efficiency by a Cascade Reaction of Glucose Oxidizing Enzymes
机译:
通过葡萄糖氧化酶的级联反应提高电流密度和库仑效率
作者:
Muhammad Nadeem Zafar
;
Minling Shao
;
Roland Ludwig
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
6.
Gold-free InAlN/GaN Schottky Gate HEMT on Si(111) Substrate with ZrO_2 Passivation
机译:
在Si(111)基板上无金色的Inaln / GaN肖特基栅极HEMT,ZRO_2钝化
作者:
L. M. Kyaw
;
Y. Liu
;
M.K. Bera
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
7.
Confocal Microscopy and TRPL Spectroscopy Study on Spatial Variation of PL in Blue-emitting InGaN/GaN MQWs
机译:
共聚焦显微镜和TRPL光谱研究PL的蓝色发射in Ingan / GaN MQWS的空间变化研究
作者:
C. Li
;
E. B. Stokes
;
R. Hefti
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
8.
Thickness Dependent Electrical Characteristics of InAlN/GaN-on-Si MOSHEMTs with Y_2O_3 Gate Dielectric and Au-free Ohmic Contact
机译:
Y_2O_3栅极电介质和无AU-AHMIC接触的厚度依赖性电气特性INALN / GAN-ON-SI MOSHEMTS
作者:
M. K. Bera
;
Y. Liu
;
L. M. Kyaw
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
9.
Biochemical Sensors: comparison of the performance of TiO_2, SnO_2:F and ITO used as the main sensing element
机译:
生物化学传感器:TiO_2,SNO_2:F和ITO的性能比较用作主传感元件
作者:
J. C. Fernandes
;
K. A. F. Torres
;
G. O. Silva
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
10.
Low Leakage Current GaN MIS-HEMT with SiN_x Gate Insulator using N_2 Plasma Treatment
机译:
使用N_2等离子体处理用SIN_X栅极绝缘体低漏电流GaN MIS-HEMT
作者:
S. C. Liu
;
H. C. Wang
;
E. Y. Chang
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
11.
A Novel Detection of Non-nucleoside Reverse Transcriptase Inhibitors (NNRTIs) for HIV-1 with AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
用AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管对HIV-1进行非核苷逆转录酶抑制剂(NNRTIS)的新型检测
作者:
Yen-Wen Kang
;
Geng-Yen Lee
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
12.
P-side up Thin Film AlGaInP-Based Light Emitting Diodes with Mesh Patterned Ohmic Contact
机译:
基于网格图案欧姆接触的基于基于薄膜的光发射二极管
作者:
Ray-Hua Horng
;
Chi-Feng Weng
;
Bing-Rui Wu
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
13.
Development of Reclaimed Pattern Sapphire Substrates Technologies for GaN-Based LEDs
机译:
新兴模式蓝宝石基板技术的开发基于GaN的LED
作者:
S. Y. Huang
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
14.
Preparation of Substrates Intended for the Growth of Lower Threading Dislocation Densities within Nitride Based UV Multiple Quantum Wells
机译:
用于在氮化物中氮化的UV多量子阱中较低螺纹位错密度生长的基材的制备
作者:
M.A. Conroy
;
N. Petkov
;
H.N. Li
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
15.
Strong visible light emission from zinc-blende InGaN/GaN pn junction on silicon substrate
机译:
硅衬底上的锌 - 闪光Ingan / GaN PN结的强烈可见光发光
作者:
S. Nishimura
;
M. Hirai
;
H. Nagayoshi
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
16.
RF-sputtered HfO_2 Gate Insulator in High-Performance AlGaN/GaN MOS-HEMTs
机译:
RF-溅射的HFO_2栅极绝缘体在高性能AlGaN / GaN MOS-HEMTS中
作者:
Ogyun Seok
;
Woojin Ahn
;
Min-Woo Ha
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
17.
InGaN LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates with Modified Top-Tip Cone Shapes
机译:
IngaN LED在图案化的蓝宝石基板上成长,具有改进的顶尖锥形
作者:
Hsu-Hung Hsueh
;
Sin-Liang Gu
;
Chiao-Yang Cheng
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
18.
Growth and characterization of single crystalline Ga-doped ZnO thin films using metal-organic chemical vapor deposition
机译:
金属 - 有机化学气相沉积单晶Ga掺杂ZnO薄膜的生长和表征
作者:
Ray-Hua Horng
;
Chiung-Yi Huang
;
Chen-Yang Yin
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
19.
Nonradiative Recombination Mechanism in Phosphor-Free GaN-Based Nanowire White Light Emitting Diodes and the Effect of Ammonium Sulfide Surface Passivation
机译:
无磷的GaN基纳米线发光二极管的非接种重组机制及硫化铵表面钝化的作用
作者:
H. P. T. Nguyen
;
M. Djavid
;
Z. Mi
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
20.
Cathodoluminescence Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structure Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积生长的InGaN / GaN多量子阱结构的阴极致发光研究
作者:
Y. Li
;
F. Lu
;
F. Ramos
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
21.
Influence of Hydro xylamine concentration on Structural and Electrical Properties of Titanium Oxide Films
机译:
水电致甲胺浓度对氧化钛膜结构和电性能的影响
作者:
H. Ishizaki
;
S. Ito
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
22.
Various Schottky Contacts of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes (SBDs)
机译:
Algan / GaN肖特基障蚁二极管(SBDS)各种肖特基联系人
作者:
Woojin Ahn
;
Ogyun Seok
;
Min-Woo Ha
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
23.
Polycrystalline CdTe PN diode formed by Au and Al diffusion
机译:
由Au和Al扩散形成的多晶CDTE PN二极管
作者:
Jin Sung Kim
;
Pyo Jin Jeon
;
Junyeong Lee
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
24.
Effects of Composition Ratio on Solution-processed InGaZnO Thin-Film Transistors
机译:
成分比对溶液加工的inGazno薄膜晶体管的影响
作者:
Jeong-Soo Lee
;
Seung-Min Song
;
Soo-Yeon Lee
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
25.
Surface Degradation of GaN after Thermal Processes
机译:
热过程后GaN的表面劣化
作者:
M.-W. Ha
;
O. Seok
;
W. Ahn
会议名称:
《Symposium on Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices》
|
2013年
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