4H-SiC epitaxial growth; step bunching free; surface morphology; optical surface analyzer; PL imaging;
机译:在2°切角硅面衬底上生长的4H-SiC外延层的改进
机译:表面形态对在0°和8°Si端接的4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯电子迁移率的影响
机译:表面形态对在0°和8°Si端接的4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯电子迁移率的影响
机译:4°离轴Si面衬底上生长的4H-SiC厚外延层的形貌缺陷研究
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:同轴Si面衬底上生长的4H-SiC外延层
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性