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4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法

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本发明公开了一种4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法，主要解决4H-SiC硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题其方法是：对4H-SiC硅面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气和丙烷，对4H-SiC硅面进行氢刻蚀，以去除表面划痕，形成规则的台阶状条纹；通入硅烷去除氢刻蚀在表面带来的氧化物；在氩气环境下，通过加热，蒸发掉硅原子，使得碳原子以sp

著录项

公开/公告号CN101602503B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN200910023384.8
发明设计人张玉明;郭辉;王党朝;张义门;汤晓燕;王悦湖;王德龙;
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申请日2009-07-20
分类号
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白路2号
入库时间 2022-08-23 09:06:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/04 授权公告日:20110427 终止日期:20150720 申请日:20090720

专利权的终止
2011-04-27

授权

授权
2010-02-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-12-16

公开

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法 [P] . 中国专利： CN101602503B . 2011.04.27
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