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From oxide breakdown to device failure: an overview of post-breakdown phenomena in ultrathin gate oxides

机译：从氧化物击穿到器件故障：超薄栅氧化物的击穿后现象概述

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《Integrated Circuit Design and Technology, 2006. ICICDT '06. 2006 IEEE International Conference on》|2006年|P.1-6|共6页
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作者
Sune J.; Wu E.Y.;
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正文语种
中图分类工业技术;
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