法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20050105 终止日期:20150911 申请日:20000911
专利权的终止
2005-01-05
授权
授权
2003-02-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-12-11
公开
公开
2002-11-20
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
机译: 具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译: 具有短沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法