机译:低能量低剂量注入的硅片顶部Si层和掩埋氧化物层的TEM研究
机译:高剂量,低剂量和内部热氧化法(通过注入氧晶片)中掩埋氧化物层中有序结构的比较
机译:p型埋层剂量对700 V三重RESURF nLDMOS热载流子降解的影响
机译:高能量,GSD / VHE注入机的高电流性能,用于生产高剂量P型埋藏层
机译:植入聚氨酯传质装置增强椎间盘的营养运输和能量产生
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:通过高剂量Ge离子注入在Si <100>晶体中形成掩埋外延Si-Ge合金层
机译:高剂量Ge离子注入在sicrystal中形成埋入式外延si-Ge合金层