机译:p型埋层剂量对700 V三重RESURF nLDMOS热载流子降解的影响
Kun Mao is with the Microelectronics Lab, Department of Communication Engineering, Chengdu University of Information Technology, Chengdu 610225, China. (email: maokuncmn@163.com);
Ultra-high voltage; hot carriers; lateral DMOS (LDMOS); reliability;
机译:具有700V三重RESURF nLDMOS的p型埋层桥的优化动态RON
机译:低导通电阻的700 V三重RESURF nLDMOS设计
机译:具有N型顶层的700V结隔离三路RESURF LDMOS
机译:氧化硅和氮化硅掩埋层上的MuGFET的热载流子(HC)和偏置温度不稳定性(BTI)下降
机译:硅锗HBT和VCO中热载流子引起的降解和伽马射线引起的降解。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:NLDMOS设备中热载波降解的建模:博尔兹曼运输方程解决方案的不同方法
机译:铍离子注入产生的Gaas中均匀载流子浓度p型层。