首页> 外文OA文献 >Formation of Buried Epitaxial Si-Ge Alloy Layers in Si <100> Crystal by High Dose Ge ION Implantation

【2h】

Formation of Buried Epitaxial Si-Ge Alloy Layers in Si <100> Crystal by High Dose Ge ION Implantation

机译：通过高剂量Ge离子注入在Si <100>晶体中形成掩埋外延Si-Ge合金层

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Kin Man Yu; Ian G. Brown; Seongil Im;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1991
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Buried Nanoscale Damaged Layers Formed in Si and SiC Crystals as a Result of High-Dose Proton Implantation [J] . V. A. Kozlov, V. V. Kozlovskii, A. N. Titkov, Semiconductors . 2002,第11期

机译：大剂量质子注入在Si和SiC晶体中形成的埋藏纳米级损伤层
2. H~+ implanted channel waveguides in buried epitaxial crystalline YAG:Nd,Tm layers and infrared-to-blue upconversion characterization [J] . Marta Szachowicz, Marie-France Joubert, Paul Moretti, Journal of Applied Physics . 2008,第11期

机译：掩埋外延晶体YAG：Nd，Tm层中的H〜+注入通道波导和红外到蓝色的上转换特性
3. High-fluence ion implantation of In into Al crystals: formation and evolution of buried layers [J] . Touboltsev VS., Johansen A., Johnson E., Philosophical Magazine, A. Physics of condensed matter, defects and mechanical properties . 1998,第2期

机译：In高效离子注入Al晶体：埋层的形成与演化
4. Synthesis of high-quality Si1-yCy and Si1-x-yGexCy epitaxial layers on <100> Si by ion implantation and pulsed excimer laser crystallization [C] . Jean-Jacques Grob, Lab. PHASE/CNRS, Strasbourg Cedex, ALT'97 International Conference on Laser Surface Processing . 1997

机译：通过离子注入和脉冲准分子激光结晶在<100> Si上合成高质量的Si1-yCy和Si1-x-yGexCy外延层
5. Synthesis, microstructural evolution, and properties of polycrystalline and epitaxial metastable titanium tungsten nitride alloy layers. [D] . Tian, Fang. 2002

机译：多晶和外延亚稳钛氮化钨钛合金层的合成，微观结构演变和性能。
6. Orderly arrayed deposit of urate crystals in gout suggest epitaxial formation [O] . E. PASCUAL, S. ORDONEZ 1998

机译：痛风中尿酸盐晶体的有序排列沉积表明外延形成
7. SiGeC alloy layer formation by high-dose C + implantations into pseudomorphic metastable Ge0.08Si0.92 on Si(100) [O] . Im S., Song J. H., Lie D. Y. C., 1997

机译：通过高剂量C +注入Si（100）上的准亚稳态Ge0.08Si0.92形成SiGeC合金层
8. Formation of buried epitaxial Si-Ge alloy layers in Si<100>crystal by high dose Ge ion implantation [R] . Yu, K M, Brown, I G, Im, S 1991

机译：通过高剂量Ge离子注入在si＆lt; 100＆gt;晶体中形成掩埋的外延si-Ge合金层

Formation of Buried Epitaxial Si-Ge Alloy Layers in Si <100> Crystal by High Dose Ge ION Implantation

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅