首页> 外文会议>Ion Implantation Technology, 2000. Conference on >Effect of defects produced by MeV H and He ion implantation on characteristics of power silicon P-i-N diodes

【24h】

Effect of defects produced by MeV H and He ion implantation on characteristics of power silicon P-i-N diodes

机译：MeV H和He离子注入产生的缺陷对功率硅P-i-N二极管特性的影响

获取原文

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》|2000年|P.135-138|共4页
会议地点
作者
Hazdra; P.; Brand; K.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. DC characteristics of high-breakdown-voltage p-i-n diodes made by 20-MeV Si implantation in InP:Fe [J] . Nadella R.K., Vellanki J. IEEE Electron Device Letters . 1992,第9期

机译：在InP：Fe中注入20 MeV Si制成的高击穿电压p-i-n二极管的直流特性
2. Analysis of the Forward I-V Characteristics of Al-Implanted 4H-SiC p-i-n Diodes with Modeling of Recombination and Trapping Effects Due to Intrinsic and Doping-Induced Defect States [J] . Megherbi M. L., Pezzimenti F., Dehimi L., Journal of Electronic Materials . 2018,第2期

机译：Al植入的4H-SiC P-IN二极管的前进I-V特性分析，具有型缺陷诱导缺陷态引起的重组和捕获效应建模
3. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: The role of the distance the metallurgical p~+n~-junction-defect layer formed by 250MeV krypton implantation [J] . N.A.Poklonski, N.I.Gorbachuk, S.V.Shpakovski, Physica, B. Condensed Matter . 2009,第23a24期

机译：硅二极管反向电阻恢复的动力学：250MeV rypto注入形成的冶金p〜+ n〜结缺陷层的距离的作用
4. Effect of defects produced by MeV H and He ion implantation on characteristics of power silicon P-i-N diodes [C] . Pavel Hazdra, Klaus Brand, Jan Vobecky International Conference on Ion Implantation Technology . 2000

机译：MEV H产生的缺陷的影响及其离子注入对功率硅P-I-N二极管特性的影响
5. Investigation of electrical properties of defects in silicon carbide Schottky and p-i-n diodes. [D] . Wang, Yu. 2007

机译：碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
6. Customisable X-ray fluorescence photodetector with submicron sensitivity using a ring array of silicon p-i-n diodes [O] . Phil S. Yoon -1

机译：使用硅p-i-n二极管的环形阵列可定制的具有亚微米灵敏度的X射线荧光光电探测器
7. {111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon. [O] . Chou, CT, Cockayne, DJ, Zou, J, 1995

机译：1-MeV硅离子注入的硅中的{111}缺陷。
8. The Structural Characteristics of Radiation Damage Produced by High Energy (2.7MeV) Ion Implantation in GaAs. [R] . narayanan, g. h. spitzer, w. c. 1977

机译：Gaas中高能（2.7meV）离子注入辐射损伤的结构特征。

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号