extreme ultraviolet; laboratory exposure tool; achromatic Talbot lithography; rigorous simulation; high-resolution nanopatterning; large-area structuring; aerial image calculation; intensity modulation;
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:使用现有的照片掩模制造能力制造用于EUV照片光刻的自对准交替相移照片掩模的简单方法
机译:下一代光刻技术的先进相移掩模的掩模形貌效应的基础研究
机译:用于EUV干扰光刻的新型高对比度相位移膜
机译:用于相移掩模设计的广义逆光刻方法。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:具有降低的像差灵敏度的交替相移掩模:光刻考虑因素
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。