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用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

     
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摘要

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的KrF准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较.

著录项

  • 来源
    《光电工程》|2000年第5期|27-30|共4页
  • 作者

    孙方; 侯德胜; 冯伯儒; 张锦;

  • 作者单位

    中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

    中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

    中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

    中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光刻、掩膜;
  • 关键词

    准分子光刻; 相移掩模; 图形分辨力;

  • 入库时间 2023-07-25 15:16:03

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