chemically amplified resist; CD uniformity; e-beam lithography;
机译:紫外线对正型化学放大抗蚀剂薄膜的光学性能的影响
机译:蒙特卡罗模拟和溶出度模型研究后正光刻化学放大抗蚀剂显影后的线边缘粗糙度
机译:电子热能对化学放大电子束抗蚀剂敏化过程的理论研究抵抗电子束罩写入中的加热效果
机译:用于光学掩模制造的KRS-XE正化学放大抗蚀剂
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:化学放大抗蚀剂PSR在先进掩模制作中的应用。