Ge-Si alloys; MOSFET; CMOS integrated circuits; hole mobility; low-power electronics; semiconductor materials; high-speed integrated circuits; capacitance; 100 channel strained-SiGe p-MOSFET; hole mobility enhancement; parasitic resistance re;
机译:高Ge含量不对称应变SiGe p-MOSFET中的空穴迁移率提高
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:具有较高κLaLuOa栅极介电层的应变SiGe沟道p-MOSFET的迁移率增强和栅极诱导的漏极泄漏分析
机译:> 100 <通道应变 - SiGe P-MOSFET,具有增强的空穴迁移率和较低的寄生电阻
机译:氧化g(100)/硅(100)界面处增强的电子迁移率:起源和应用。
机译:具有SnO沟道层的聚合物铁电场效应存储器件具有记录空穴迁移率
机译:垂直应变-SiGe碰撞电离MOSFET的流动性增强包括介电袋(VESIMOS-DP)