具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法

摘要

一种具有应变增强迁移率的三栅极体晶体管及其制造方法。本发明是一种具有应变增强迁移率的非平面晶体管及其制造方法。所述晶体管具有在半导体基片上形成的半导体主体，其中半导体主体具有侧向相对的侧壁上的顶面。在半导体主体的顶面和侧壁上形成半导体覆盖层。在半导体主体顶面上的半导体覆盖层上形成栅极绝缘层，并且在半导体主体的侧壁上的覆盖层上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上及其周围形成具有一对侧向相对的侧壁的栅极电极。在栅极电极的相对的两侧，在半导体主体内形成一对源极/漏极区域。