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【2h】

Mobility enhancement on Vertical Strained-SiGe Impact Ionization MOSFET incorporating Dielectric Pocket (VESIMOS-DP)

机译：垂直应变-SiGe碰撞电离MOSFET的流动性增强包括介电袋（VESIMOS-DP）

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Ismail Saad; H. Mohd Zuhir; C. Bun Seng; A. R. Abu Bakar; N. Bolong; A. M. Khairul; Bablu Ghosh; Razali Ismail;
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年度 2013
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