Key Laboratory for Precision Non-traditional Machining of Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116024, P. R. China;
chemical mechanical polishing; material removal mechanism; abrasive; material removal rate;
机译:基于粒子轨迹的晶片化学机械抛光材料去除率
机译:化学机械抛光的理论模型及实验分析,浆料磨蚀深度和硅晶片表面形貌的影响
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:基于磨料轨迹的硅片化学机械抛光材料去除率分析
机译:化学机械抛光中垫-磨料-晶片接触的力学
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:焊盘表面粗糙对大直径硅晶片化学机械抛光中施加到GaN基LED衬底的影响