机译:差分读取对称8T SRAM位单元,具有增强的数据稳定性
机译:45NM技术下常规6T动态8T SRAM单元的单元稳定性分析
机译:基于PMOS的新型导电8T SRAM单元的稳定性和泄漏特性
机译:具有增强稳定性的新型90nm 8T SRAM单元
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:钙钛矿太阳能电池:通过使用包括双层和混合结构的钙钛矿/ Zr-MOF异质结来提高光伏电池的效率和稳定性(Adv。Sci。5/2019)
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性