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【2h】

A Dual Port 8T SRAM Cell Using FinFET CMOS Logic for Leakage Reduction and Enhanced Read Write Stability

机译：使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性

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作者
Chusen Duari; Shilpi Birla; Amit Kumar Singh;
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年度 2020
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