机译:基于PMOS的新型导电8T SRAM单元的稳定性和泄漏特性
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, Republic of Korea;
SRAM; memory cell; static noise margin; write margin; leakage current;
机译:具有优化的泄漏功率和增强的性能的PMOS读取端口8T SRAM单元
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:基于FinFET的7T和8T SRAM单元的减少泄漏技术分析
机译:基于晶体管的pMOS 8T SRAM单元,用于布局紧凑
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:具有高电化学稳定性的质子传导壳聚糖基聚合物共混电解质的结构阻抗和EDLC特性
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性