机译:基于FinFET的7T和8T SRAM单元的减少泄漏技术分析
ITM University, Gwalior, India;
ITM University, Gwalior, India;
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:基于FinFET的SRAM单元的漏电流和降低功率的技术分析
机译:独立栅极DG FinFET SRAM单元中减少泄漏的技术分析
机译:采用SVL技术实现的18nm 7T和8T SRAM单元的泄漏功率比较分析
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:子宫内膜异位症手术后肠吻合缺失:基于危险因素和预防技术的基于证据分析
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性