机译:独立栅极DG FinFET SRAM单元中减少泄漏的技术分析
机译:基于FinFET的SRAM单元的漏电流和降低功率的技术分析
机译:基于FinFET的7T和8T SRAM单元的减少泄漏技术分析
机译:TiN FinFET SRAM单元的变异性分析及其独立DG FinFET的补偿
机译:独立门四端FinFET SRAM用于急剧漏电流减少
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:NBTI对FinFET sRam影响的统计可靠性分析及使用独立门器件的缓解技术