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公开/公告号CN101300680B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 先进微装置公司;
申请/专利号CN200680040575.X
发明设计人 J·潘;J·佩尔兰;
申请日2006-11-02
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:05:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-10-27
授权
2008-12-31
实质审查的生效
2008-11-05
公开
机译: 替换金属栅极晶体管,减少栅极氧化物泄漏
机译:通过使用栅极至源极/漏极非重叠的金属氧化物半导体场效应晶体管结构来减少栅极泄漏
机译:热载流子对高k /金属栅极n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
机译:栅极边缘轮廓对金属栅极/高k介电n型金属氧化物半导体场效应晶体管中关态泄漏抑制的影响
机译:镍硅化物金属栅极FDSOI器件,具有改进的栅极氧化物泄漏
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)