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具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管

摘要

通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度,因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳(amorphous carbon)的保护层,该金属碳化物的浓度从该金属栅极电极朝向该栅极氧化物层跨过该保护层而降低。方法的实施例包括移除可移除的栅极,在栅极氧化物层上沉积非晶形碳层,形成金属栅极电极,及然后在升高的温度加热以使金属从该金属栅极电极扩散进入该非晶形碳层,因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数的栅极氧化物层及硅集中在该金属栅极电极与衬底的接口处的金属栅极晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN101300680B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN200680040575.X

  • 发明设计人 J·潘;J·佩尔兰;

    申请日2006-11-02

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-10-27

    授权

    授权

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-05

    公开

    公开

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