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机译:基于FinFET的SRAM单元的漏电流和降低功率的技术分析
ITM University, Gwalior, India;
ITM University, Gwalior, India;
机译:基于FinFET的7T和8T SRAM单元的减少泄漏技术分析
机译:独立栅极DG FinFET SRAM单元中减少泄漏的技术分析
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:基于finfet的6T SRAM单元的漏电流降低,可将纳米级存储器的功耗降至最低
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:从单细胞中获得更多了解:单细胞分析中基于微流体技术的最新研究
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性