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陈泽翔;
苏州大学;
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:14nm FinFET中的TID工艺,几何和偏置条件相关性分析以及对RF和SRAM性能的影响
机译:一种新型的高速,三元素基于硅的静态随机存取存储器(SRAM)单元
机译:采用14nm FinFET技术的10T差分信号SRAM设计,用于高速应用
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:用于3D单片14NM FDSOI SRAMS应用的变形和BTI的反偏见影响
机译:采用14nm FinFET工艺制造的超高速模数转换器,用于数字和混合相控阵系统。
机译:适用于双轨SRAM存储器的面积有效,高速,基于动态电路的传感方案
机译:一种用于双轨SRAM存储器的高效,基于动态电路的高速传感方案
机译:用于高速缓存和图像处理的半导体存储器-具有DRAM单行和列块选择器电路,SRAM单元块选择器电路以及用于在DRAM列块和SRAM的选定单元块之间传输数据的电路
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