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Back-bias impact on variability and BTI for 3D-monolithic 14nm FDSOI SRAMs applications

机译：用于3D单片14NM FDSOI SRAMS应用的变形和BTI的反偏见影响

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D. Bosch; F. Andrieu; X. Garros; L. Ciampolini; A. Makosiej; O. Weber; J. Lacord; J. Cluzel; B. Giraud; G. Cibrario; L. Brunet; P. Batude; C. Fenouillet-Beranger; D. Lattard; J. P. Colinge; F. Balestra; M. Vinet;
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年度 2019
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机译：用于3D整体14 NM FDSOI顶层SRAM的新型精细晶粒背部辅助技术
2. On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells [J] . Mazurier J., Weber O., Andrieu F., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第8期

机译：平面FDSOI技术的可变性：从MOSFET到SRAM单元
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4. Novel Fine-Grain Back-Bias Assist Techniques for 14nm FDSOI Top-Tier SRAMs integrated in 3D-Monolithic [C] . D. Bosch, F. Andrieu, L. Ciampolini, International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application . 2019

机译：用于3D单片集成的14nm FDSOI顶层SRAM的新颖的细粒度背偏置辅助技术
5. Low-Power and High-Performance SRAM Design in High Variability Advanced CMOS Technology [D] . Ataei, Fatemeh. 2017

机译：采用高可变性先进CMOS技术的低功耗高性能SRAM设计
6. Applications of linking PBPK and PD models to predict the impact of genotypic variability formulation differences differences in target binding capacity and target site drug concentrations on drug responses and variability [O] . Manoranjenni Chetty, Rachel H. Rose, Khaled Abduljalil, 2014

机译：关联的PBPK和PD模型在预测基因型变异性制剂差异目标结合能力差异和目标部位药物浓度差异对药物反应和变异性的影响中的应用
7. Développement et caractérisation des procédés de gravure plasma impliqués dans la réalisation de grille métallique de transistor pour les technologies FDSOI 14nm : contrôle dimensionnel et rugosité de bord [O] . Ros Bengoetxea Onintza 2016

机译：用于14nm FDSOI技术的金属晶体管栅极的实现涉及的等离子体蚀刻工艺的开发和表征：尺寸控制和边缘粗糙度

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