用于缺陷钝化以减少FINFET器件的结泄漏的结构和方法

摘要

本发明提供半导体结构的一个实施例。半导体结构包括：第一半导体材料的半导体衬底；在半导体衬底中形成的浅沟槽隔离(STI)部件；以及在半导体衬底上外延生长的第二半导体材料的鳍式有源区。第一半导体材料具有第一晶格常数，而第二半导体材料具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。鳍式有源区包括氟物质。本发明还提供了用于缺陷钝化以减少FINFET器件的结泄漏的结构和方法。