一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法

摘要

本发明提出了一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤：1）在蓝宝石晶片放入MOCVD中生长氮化镓；2)将步骤1）生长了氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱溶液，氮化镓被KOH溶液腐蚀，表面产生锯齿状蚀坑，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2）清洗甩干后的蓝宝石晶片放入PECVD设备再进行生长,用等离子体淀积法生长1um厚的SiO2；4）对步骤3）的蓝宝石晶片进行研磨，除去氮化镓未被蚀坑平面上的SiO2，并清洗干净；5）将研磨后的蓝宝石晶片用MOCVD继续依次生长n型氮化镓、多量子阱、p型氮化镓，完成LED结构层生长。本发明的一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法，大大降低缺陷密度。