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【2h】

Reduction of dislocation density in epitaxial gan layers bij overgrowth of defect-related etch pits

机译：减少外延gan层中的位错密度，从而增加了与缺陷相关的刻蚀坑的过度生长

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Weyher J.L.; Ashraf H.; Hageman P.R.;
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年度 2009
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1. Reduction of dislocation density in epitaxial GaN layers by overgrowth of defect-related etch pits [J] . J. L. Weyher, H. Ashraf, P. R. Hageman Applied Physicsletters . 2009,第3期

机译：通过缺陷相关蚀刻坑的过度生长来降低外延GaN层中的位错密度
2. Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet etching [J] . T. C. Wen, W. I. Lee, J. K. Sheu Solid-State Electronics . 2002,第4期

机译：湿法刻蚀外延横向生长GaN中位错刻蚀坑的观察
3. Orders of magnitude reduction in dislocation density in GaN grown on Si (111) by nano lateral epitaxial overgrowth [J] . K. Y. Zang, S. J. Chua Physica status solidi . 2008,第6期

机译：纳米横向外延过度生长在Si（111）上生长的GaN中位错密度的数量级降低
4. Observation of dislocation etch pits in epitaxial overgrowth GaN by wet chemical etching [C] . T. C. Wen, S. C. Lee, H. S. Chuang, MRS Meeting . 2001

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5. Threading dislocation reduction in gallium nitride thin films on sapphire via lateral epitaxial overgrowth. [D] . Fini, Paul Thomas. 2000

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6. Ultralow threading dislocation density in GaN epilayer on near-strain-free GaN compliant buffer layer and its applications in hetero-epitaxial LEDs [O] . Huan-Yu Shih, Makoto Shiojiri, Ching-Hsiang Chen, -1

机译：接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
7. Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet etching [O] . T.C Wen, W.I Lee, J.K Sheu, 2002

机译：湿法蚀刻观察外延横向过度覆盖GaN中的位错蚀刻坑
8. Low-Dislocation-Density GaAs Epilayers Grown on Ge-Coated Si Substrates by Means of Lateral Epitaxial Overgrowth. [R] . Tsaur, B. Y., McClelland, R. W., Fan, J. C. C., 1982

机译：通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。

Reduction of dislocation density in epitaxial gan layers bij overgrowth of defect-related etch pits

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