Naval Research Laboratory, Electronics Science Technology Division, Washington, DC 20375, USA;
机译:使用高速晶圆旋转垂直CVD工具生长的n型4H-SiC外延膜表面和PL缺陷的减少
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:降低温度下在GaN模板上外延生长的GaN薄膜中的螺旋型表面缺陷
机译:降低GaN外延薄膜的缺陷在SiC上生长杂志
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:Ga通量在SiC(0001)上生长的GaN薄膜中位错减少中的作用
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究