Memory Research Development Div., Hyundai Microelectronics Ind. Co., Ltd. San 136-1, Ami-ri, Bubal-up, Ichon-si, Kyoungki-do, 467-701 Korea;
机译:碳化硅外延层的气相生长过程研究:Si-C-H-Cl体系中高温过程的热力学分析
机译:亚微米级硅(001)窗口中硅锗选择性外延生长的负载效应
机译:硅衬底上原位碳掺杂硅的选择性外延生长
机译:硅的选择性外延生长热力学分析
机译:通过低温化学气相沉积在硅上选择性外延生长碳化硅。
机译:直接激光熔化硅晶片上的硅外延生长
机译:低压硅选择性外延生长及其热力学考虑
机译:选择性蚀刻硅选择性区域外延生长