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International Symposium on Chemical Vapor Deposition
International Symposium on Chemical Vapor Deposition
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1.
Atomistic Modeling of Chemical Vapor Deposition: NO on the Si (001) (2x1) reconstructed surface
机译:
化学气相沉积的原子模型:在Si(001)(2x1)重建表面上
作者:
Noppawan Tanpipat
;
Jan Andzelm
;
Bernard Delley
;
Anatoli A. Korkin
;
Alexander Demkov
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
2.
Cosmo-Mimetic Carbon Micro-coils
机译:
宇宙模拟碳微卷材
作者:
S. Motojima
;
X. Chen
;
W. In-Hwang
;
T. Kuzuya
;
M. Kohda
;
Y. Hishikawa
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
3.
EFFECT OF H_2S ON THE MICROSTRUCTURE AND DEPOSITION CHARACTERISTICS OF CHEMICALLY VAPOUR DEPOSITED A1_2O_3
机译:
H_2S对化学气相沉积A1_2O_3的微观结构和沉积特性的影响
作者:
S. Ruppi
;
A. Larsson
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
4.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANIUM NITRIDE AND TITANIUM SILICON NITRIDE THIN FILMS FROM TETRAKIS-(DIMETHYLAMIDO)TITANIUM AND HYDRAZINE AS A CO-REACTANT
机译:
氮化钛和氮化硅钛的化学气相沉积来自四氮(二甲基氨基)钛和肼作为共反应物的氮化氮膜
作者:
Derk A. Wierda
;
Carmela Amato-Wierda
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
5.
CVD OF Zr-Sn-Ti-O FOR CAPACITOR APPLICATIOS
机译:
用于电容器应用的Zr-and-Ti-O的CVD
作者:
Yoshihide Senzaki
;
Glenn B. Alers
;
Arthur K. Hochberg
;
David A. Roberts
;
John A. T. Norman
;
Robert M. Fleming
;
Henry Krautter
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
6.
BISMUTH TITANATE THIN FILMS GROWN BY HALIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
卤化物化学气相沉积生长的钛酸铋薄膜
作者:
Mikael Schuisky
;
Anders Harsta
;
Sergey Khartsev
;
Alex Grishin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
7.
EFFECT OF GAS PHASE NUCLEATION ON SILICON CARBIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
气相成核对碳化硅化学气相沉积的影响
作者:
A.N.Vorobev
;
A.E.Komissarov
;
M.V.Bogdanov
;
S.Yu.Karpov
;
A.A.Lovtsus
;
Yu.N. Makarov
;
S.A. Lowry
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
8.
EVALUATION OF GAS PHASE REACTION RATE CONSTANT BY DEPOSITION PROFILE ANALYSIS FOR IN-SITU COUNTER DIFFUSION CVD
机译:
通过原位计数扩散CVD沉积曲线分析评价气相反应速率恒定
作者:
Y.Egashira
;
H.Tanaka
;
T.Mina
;
N.Mori
;
K.Ueyama
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
9.
RUTHENIUM DOPED INDIUM PHOSPHIDE GROWTH BY LOW PRESSURE HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
通过低压氢化物气相外延掺杂钌掺杂磷化铟生长
作者:
D. Soederstroem
;
S. Lourdudoss
;
M. Wallnaes
;
A. Dadgar
;
O. Stenzel
;
D. Bimberg
;
H. Schumann
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
10.
CVD-EPITAXIAL GROWTH ON POROUS Si FOR ELTRAN~R SOI-EPI WAFERS~(TM)
机译:
Eltran〜R Soi-Epi晶片多孔Si上的CVD-外延生长〜(TM)
作者:
Nobuhiko SATO
;
Shigeaki ISHII
;
Takao YONEHARA
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
11.
EXPERIMENTAL AND NUMERICAL STUDY OF InGaAsP MATERIALS GROWTH KINETICS AND COMPOSITION
机译:
IngaAsp材料生长动力学和组成的实验性和数值研究
作者:
O. Feron
;
M. Sugiyama
;
Y. Nakano
;
Y. Shimogaki
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
12.
MOSFET EVALUATION OF ULTRACLEAN-CVD Si AND SiGe GROWN AT 550t; ON SIMOX
机译:
Ultraclean-CVD Si和Sige在550T中的MOSFET评估;在SIMOX.
作者:
Kiyohisa Fujinaga
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
13.
NEW LIQUID PRECURSORS FOR CVD OF METAL-CONTAINING MATERIALS
机译:
用于CVD的金属材料的新液体前体
作者:
Roy G. Gordon
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
14.
CVD Tungsten Via Void Minimization for Sub 0.25 μm Technology
机译:
CVD钨通过空隙最小化为0.25μm技术
作者:
Asad M. Haider
;
David J. Rose
;
Jeffery R. D. Debord
;
Steven P. Zuhoski
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
via;
contact;
CVD W;
tungsten void;
seam, metal;
interconnect;
plug fill;
15.
CVD OF MOLECULE-BASED CONDUCTORS AND MAGNETS
机译:
基于分子的导体和磁铁的CVD
作者:
HELENE CASELLAS
;
JEAN-PIERRE LEGROS
;
LYDIE VALADE
;
DOMINIQUE DE CARO
;
MARIO BASSO-BERT
;
CHRISTOPHE FAULMANN
;
PATRICK CASSOUX
;
LUCIEN Aries
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
16.
THREE-DIMENSIONAL COMPUTER SIMULATION OF WSi_x CVD VLSI PROCESSING - EFFECT OF OUTLET POSITIONK.
机译:
WSI_X CVD VLSI处理的三维计算机仿真 - 出口位置的效果。
作者:
Sugawara
;
M. Kunishige
;
T. Muranushi
;
Y. K. Chae
;
Y. Shimogaki
;
H. Komiyama
;
Y. Egashira
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
17.
INTEGRATION OF A QUADRUPOLE MASS SPECTROMETER AND A QUARTZ CRYSTAL MICROBALANCE FOR 77V SITU CHARACTERIZATION OF ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESSES IN FLOW TYPE REACTORS
机译:
四极孔质谱仪的整合和石英晶体微稳定的77V原位表征流动式反应器中的原子层沉积工艺
作者:
Antti Rahtu
;
Mikko Ritala
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
18.
SELECTIVE NUCLEATION AND AREA SELECTIVE OMCVD OF GOLD ON PATTERNED SELF-ASSEMBLED ORGANIC MONOLAYERS: A COMPARISON OF OMCVD AND PVD.
机译:
图案自组装有机单层的选择性成核和区域选择性OMCVD:OMCVD和PVD的比较。
作者:
R. A. Fischer
;
Carl Winter
;
Ulrike Weckenmann
;
Josua Kaeshammer
;
Volker Scheumann
;
Silvia Mittler
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
selective deposition of gold;
self-assembled monolayers of dithiols;
mixed organic monolayers;
microcontact printing;
19.
NUMERICAL SIMULATION OF SILICON CARBIDE DEPOSITION IN A COLD WALL CVD REACTOR
机译:
冷壁CVD反应器中碳化硅沉积的数值模拟
作者:
G. Chaix
;
A. Dollet
;
M. Matecki
;
S. de Persis
;
Y. Wang
;
F. Teyssandier
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
20.
USE OF Ti(dpm)_2(OPr')_2 PRECURSOR TO OBTAIN TiO_2 FILM
机译:
使用Ti(DPM)_2(OPR')_ 2前体获得TiO_2胶片
作者:
V.V. Krisyuk
;
A.E. Turgambaeva
;
I.K. Igumenov
;
V.G. Bessergenev
;
I.V.Khmelinskii
;
R.J.F.Pereira
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
21.
DEVELOPMENT OF GAS PHASE AND SURFACE KINETIC SCHEMES FOR THE MOCVD OF CdTe, ZnS AND ZnSe
机译:
CDTE,ZNS和ZnSE MOCVD气相和表面动力学方案的开发
作者:
Carlo Cavallotti
;
Valeria Bertani
;
Maurizio Masi
;
Sergio Carra
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
22.
Processing of tungsten single crystals by chemical vapor deposition
机译:
化学气相沉积处理钨单晶
作者:
R.H.Zee
;
Z.Xiao
;
H.S.Gale
;
B.A.Chin
;
L.L.Begg
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
23.
MODELING AND SYSTEM DESIGN FOR ATMOSPHERIC PRESSURE CVD OF YSZ
机译:
YSZ大气压CVD的建模与系统设计
作者:
T. M. Besmann
;
V. G. Varanasi
;
T. L. Starr
;
T. J. Anderson
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
24.
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HIGH-k OXIDES
机译:
高k氧化物的原子层沉积
作者:
Mikko Ritala
;
Kaupo Kukli
;
Marko Vehkamaeki
;
Timo Haenninen
;
Timo Hatanpaeae
;
Petri I. Raeisaenen
;
Markku Leskelae
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
25.
THE DYNAMICS OF THIN FILM GROWTH: A MODELING STUDY
机译:
薄膜生长的动态:建模研究
作者:
M. A. Gallivan
;
R. M. Murray
;
D. G. Goodwin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
26.
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF METAL OXIDE FILMS BY USING METAL ALKOXIDES AS AN OXYGEN SOURCE0
机译:
用金属醇盐作为氧源0的金属氧化物膜的原子层沉积
作者:
PETRI.I. RAeISAeNEN
;
KAUPO KUKLI
;
ANTTI RAHTU
;
MIKKO RITALA
;
MARKKU LESKELAe
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
27.
LOADING EFFECTS DURING NON-SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH OF Si AND SiGe
机译:
在非选择性外延生长期间的加载效果Si和SiGe
作者:
J. Pejnefors
;
S.-L. Zhang
;
J. V. Grahn
;
M. Oestling
;
T. Winzell
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
28.
DETERMINATION OF ENERGY TRANSFER EFFECTS FOR MOLECULAR DECOMPOSITION
机译:
分子分解的能量转移效应的测定
作者:
Wing Tsang
;
Vladmir Mokrushin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
29.
FACTORS AFFECTING THE AMOUNT OF CARBON IN TITANIUM CARBIDE FILMS MADE BY CVD
机译:
影响CVD制造碳化钛膜中碳量的因素
作者:
Carmela C.Amato-Wierda
;
Kathryn E. Versprille
;
Philip Ramsey
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
30.
PLASMA-ENHANCED MOCVD OF SMOOTH NANOMETERSIZED METAL/SILICON SINGLE- AND MULTILAYERFILMS
机译:
平滑纳米金属/硅单件和多层晶体的等离子体增强MOCVD
作者:
F. Hamelmann
;
G. Haindl
;
A. Aschentrup
;
A. Klipp
;
U. Kleineberg
;
P. Jutzi
;
U. Heinzmann
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
31.
Characteristics of silicon oxy-nitride thin films deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
机译:
电子回旋谐振等离子体增强化学气相沉积沉积硅氧氮薄膜的特性
作者:
C. Simionescu
;
F. Bounasri
;
S. G. Wallace
;
H.K. Haugen
;
J.A. Davies
;
P. Mascher
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
32.
MEASUREMENT OF THE RETARDING EFFECT OF HCL ON THE RATE OF CVD OF TITANIUMDIBORIDE
机译:
测量HCl对钛钛合金CVD速率的测量
作者:
Ch.-Ho Yu
;
E. Zimmermann
;
D. Neuschuetz
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
33.
DISLOCATIONS GENERATION IN SELECTIVE AND NON-SELECTIVE SiGe EPITAXY
机译:
选择性和非选择性SiGe外延的脱位生成
作者:
C. Fellous
;
F. Romagna
;
D. Dutartre
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
34.
SURFACE ADSORPTION OF WF_6 ON Si AND SiO_2 IN SELECTIVE W-CVD
机译:
选择性W-CVD中Si和SiO_2上的WF_6的表面吸附
作者:
Yuji YAMAMOTO
;
Takashi MATSUURA
;
Junichi MUROTA
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
adsorption;
WF_6;
SiH_4;
W-CVD;
selective growth;
35.
Reactor Scale Simulation of Metal Oxide Deposition from an Inorganic Precursor
机译:
无机前体金属氧化物沉积的反应堆尺度模拟
作者:
J. Vernon Cole
;
Amit Nangia
;
Thodoris Mihopoulos
;
Rama Hegde
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
36.
EFFECT OF CARBON PREDEPOSITION ON NUCLEATION OF QUANTUM DOTS
机译:
碳化在量子点成核中的影响
作者:
Q. Zhao
;
D.W. Greve
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
37.
REACTIONS OF bis-(2,4-PENTANEDIONATO) M(II) (M= Ni, Cu) UNDER LOW PRESSURE CVD CONDITIONS
机译:
低压CVD条件下双 - (2,4-戊二酮)M(II)(II)(M = Ni,Cu)的反应
作者:
C. R. Vestal
;
H. M. Sturgill
;
T.C. DeVore
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
38.
PROCESSING OF TUNGSTEN SINGLE CRYSTALS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
化学气相沉积处理钨单晶
作者:
R.H. Zee
;
Z. Xiao
;
H.S. Gale
;
B.A. Chin
;
L.L. Begg
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
39.
THE PROFILE CONTROL OF n-TYPE DOPING IN LOW AND HIGH TEMPERATURE Si EPITAXY FOR HIGH FREQUENCY BIPOLAR TRANSISTORS
机译:
高温双极晶体管低温Si外延的N型掺杂的轮廓控制
作者:
H. H. Radamson
;
B. Mohadjeri
;
B. G. Malm
;
J. V. Grahn
;
M. Oestling
;
G. Landgren
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
40.
ON THE OCCURRENCE OF NON-SYMMETRIC FLOWS IN AXISYMMETRIC CVD REACTORS
机译:
关于轴对称CVD反应器非对称流的发生
作者:
H. van Santen
;
C.R. Kleijn
;
H.E.A. van den Akker
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
41.
SILICON FILMS MORPHOLOGY DESIGN THROUGH MULTISCALE CVD MODELING
机译:
通过多尺度CVD建模硅膜形态设计
作者:
M. Masi
;
C. Cavallotti
;
V. Bertani
;
S. Carra
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
42.
A COMPARISON OF COMMONALITIES AND DIFFERENCES OF SILICON-BASED THIN FILMS CVD PROCESSES FOR ULSI DEVICE TECHNOLOGY
机译:
ULSI器件技术硅基薄膜CVD过程的共性和差异的比较
作者:
Vladislav Y. Vassiliev
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
43.
SIH_4 REACTION MECHANISM RESEARCH USING A FAST WAFER-ROTATING REACTOR
机译:
SIH_4使用快速晶片旋转反应器的反应机制研究
作者:
Yuusuke SATO
;
Naoki TAMAOKI
;
Toshimitsu OHMINE
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
44.
Determination of energy transfereffects for molecular decomposition
机译:
分解能量转移的测定
作者:
Wing Tsang
;
Vladmir Mokrushin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
45.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND MAGNETORESISTANCE OF GRANULAR CU-CO FILMS
机译:
颗粒状铜膜的化学气相沉积和磁阻
作者:
Ilya S. Chuprakov
;
Klaus-Hermann Dahmen
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
46.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF COPPER USING (hfac)Cu~((I))DMB(3,3-dimethyl-1-butene) LIQUID PRECURSOR
机译:
使用(HFAC)Cu〜((I))DMB(3,3-二甲基-1-丁烯)液体前体的化学气相沉积
作者:
Kyeong-Keun Choi
;
Shi-Woo Rhee
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
47.
MONITORING OF MOCVD FABRICATION OF LAF_3 FILMS USING THE NOVEL LA(HFAC)_3contre dot DIGLYME ADDUCT AND 'IN SITU' SYNTHESIZED LA(HFAC)_3 ANHYDROUS PRECURSOR
机译:
使用新型LA(HFAC)_3Contre点DOT DIGLYME加合物和“原位”合成LA(HFAC)_3无水前体的MOCVD制造LaF_3膜的MOCVD制造。
作者:
Guglielmo G. Condorelli
;
Ignazio L. Fragala
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
48.
Thermodynamic Analysis of Selective Epitaxial Growth of Silicon
机译:
硅的选择性外延生长热力学分析
作者:
Woo-Seock Cheong
;
Joon-Ho Joung
;
Jin-Won Park
;
Dong-Joon Ahn
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
49.
Optimization of LPCVD Nitride deposition conditions for Non Volatile Memory inter poly dielectric applications
机译:
非易失性存储器间氮化物沉积条件的优化优化多电介质应用
作者:
M.J. Teepen
;
M.A.A.M. van Wijck
;
H. Sprey
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
50.
IMPROVEMENT OF TEMPERATURE UNIFORMITY IN RAPID THERMAL CVD SYSTEMS USING MULTIVARIABLE CONTROL
机译:
利用多变量控制改善快速热CVD系统温度均匀性
作者:
F.B.M. Van Bilsen
;
R.M.C. De Keyser
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
51.
KINETIC GROWTH OF AL_2O_3 THIN FILMS USING ALUMINUM DIMETHYLISOPROPOXIDE AS PRECURSOR
机译:
使用铝二甲基异丙氧化铝作为前体的Al_2O_3薄膜的动力学生长
作者:
D. Barreca
;
G.A. Battiston
;
R. Gerbasi
;
E. Tondello
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
MOCVD;
Al_2O_3;
kinetics;
FT-IR;
52.
QUASI-THERMODYNAMIC MODELS OF SURFACE CHEMISTRY: APPLICATION TO MOVPE OF III-V TERNARY COMPOUNDS
机译:
表面化学的准热力学模型:应用于III-V三元化合物的MOVPE
作者:
S.Yu. Karpov
;
E.V. Yakovlev
;
R.A. Talalaev
;
Yu.A. Shpolyanskiy
;
Yu.N. Makarov
;
S.A. Lowry
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
53.
REACTION-TRANSPORT MODELS OF THE METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY OF GALLIUM NITRIDE
机译:
氮化镓金属蒸汽相外延的反应运输模型
作者:
R.P. Pawlowski
;
C. Theodoropoulos
;
A.G. Salinger
;
H.K. Moffat
;
T.J. Mountziaris
;
J.N. Shadid
;
E.J. Thrush
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
54.
Stability of RuO_2 Bottom Electrode and its Effect on the Ba-Sr-Ti Oxide Film Quality
机译:
RuO_2底电极的稳定性及其对Ba-Sr-Ti氧化膜质量的影响
作者:
Youn-Jin Oh
;
Sang Heup Moon
;
Chan-Hwa Chung
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
55.
CVD OF SiC FROM CH_3SiCl_3 IN A HOT-WALL-REACTOR SYSTEM: TRANSPORT PHENOMENA AND KINETIC ASPECTS
机译:
来自CH_3SICL_3的SIC中的CVD在热墙反应器系统中:运输现象和动力学方面
作者:
V. K. Wunder
;
N. Popovska
;
H. Gerhard
;
G. Emig
;
P. Kaufmann
;
L. Kadinski
;
F. Durst
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
56.
DEVELOPMENT OF CVD MULLITE COATINGS
机译:
开发CVD莫来石涂料
作者:
S.N. Basu
;
V.K. Sarin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
57.
INFLUENCE OF CARBON PRECURSOR ON THE GAS-PHASE CHEMISTRY OF THE Ti-C-Cl-H SYSTEM
机译:
碳前体对Ti-C-CL-H系统气相化学的影响
作者:
Stephanie de Persis
;
Francis Teyssandier
;
Anthony H. McDaniel
;
Mark D. Allendorf
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
58.
In-situ Measurement of the Decomposition of GaN OMVPE Precursors by Raman Spectroscopy
机译:
用拉曼光谱法原位测量GaN omvpe前体的分解
作者:
Chinho Park
;
Soonae Lee
;
Jeongchan Seo
;
Min Huang
;
Timothy J. Anderson
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
59.
LPCVD of Optical Interference Coatings for Micro-Optical Applications
机译:
用于微光学应用的光学干涉涂层的LPCVD
作者:
Mark A. George
;
Don Z. Rogers
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
60.
MULTILAYERS FOR THE GROWTH OF HTc SUPERCONDUCTING TAPE: A FULL MOCVD APPROACH
机译:
HTC超导磁带的增长多层:全部MOCVD方法
作者:
Raffaella Lo Nigro
;
Graziella Malandrino
;
Ignazio L. Fragala
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
61.
GLOBAL MODEL OF SILICON CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN CENTURA REACTORS
机译:
中心反应器中硅化学气相沉积的全局模型
作者:
A.S. Segal
;
A.V. Kondratyev
;
A.O. Galyukov
;
S.Yu. Karpov
;
Yu.N. Makarov
;
W. Siebert
;
P. Storck
;
S. Lowry
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
62.
METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF NICKEL FILMS: INVESTIGATION OF A NEW PRECURSOR, Ni(tmen)(μ-tfa)(tfa)_2(μ-H_2O)
机译:
镍膜的金属化学化学气相沉积:对新前体的研究,Ni(Tmen)(μ-TFA)(TFA) _ 2(μ-H_2O)
作者:
Jin-Kyu Kang
;
Francois Senocq
;
Alain Oleizes
;
Shi-Woo Rhee
;
Constantin Vahlas
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
63.
MULTICOMPONENT TRANSPORT AND MIXED CONVECTION FLOWS IN CVD REACTORS
机译:
CVD反应器中的多组分传输和混合对流流动
作者:
Alexandre Ern
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
64.
A TWO-DIMENSIONAL SIMULATION MODEL FOR OXY-ACETYLENE FLAME CVD OF DIAMOND FILMS
机译:
金刚石薄膜氧 - 乙炔火焰CVD的二维仿真模型
作者:
M. Okkerse
;
C.R. Kleijn
;
H.E.A. van den Akker
;
M.H.J.M. de Croon
;
G.B. Marin
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
65.
INVESTIGATIONS OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GaN USING SYNCHROTRON RADIATION
机译:
使用同步辐射的GaN化学气相沉积的研究
作者:
Carol Thompson
;
G.B. Stephenson
;
J.A. Eastman
;
A. Munkholm
;
O. Auciello
;
M.V. Ramana Murty
;
P. Fini
;
S. P. DenBaars
;
J. S. Speck
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
66.
VAPOR PHASE EPITAXY OF MAGNESIUM OXIDE ON SILICON USING METHYLMAGNESIUM ALKOXIDES
机译:
甲基镁醇盐硅氧化镁氧化镁的气相外延
作者:
Sun S. Lee
;
Sung Y. Lee
;
Chang G. Kim
;
Yunsoo Kim
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
67.
NOVEL MOCVD PROCESS FOR THE LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF THE CHROMIUM NITRIDE PHASES
机译:
用于低温沉积氮化铬相的新型MOCVD工艺
作者:
F. Maury
;
D. Duminica
;
F. Senocq
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
68.
GAS-PHASE CHEMISTRY IN THE CVD OF SILICON CARBIDE: THEORETICAL STUDY OF THE REACTIONS SIH_2+CH_4, SIH_2+C_2H_4, AND SIH_2+C_2H_2
机译:
碳化硅CVD中的气相化学:反应SiH_2 + CH_4,SIH_2 + C_2H_4和SIH_2 + C_2H_2的理论研究
作者:
C. Raffy
;
M.D. Allendorf
;
E. Blanquet
;
C.F. Melius
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
69.
SURFACE ANALYSIS of Al FILM PREPARED FROM DIMETHYL-ALUMINUM-HYDRIDE
机译:
二甲基铝 - 氢化铝膜的表面分析
作者:
M. Sugiyama
;
H. Ogawa
;
H. Itoh
;
J. Aoyama
;
Y. Horiike
;
H. Komiyama
;
Y. Shimogaki
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
70.
MOCVD OF ALUMINOSILICATE CORROSION PROTECTIVE COATINGS
机译:
铝硅酸盐腐蚀防护涂料的MOCVD
作者:
Svetlana M. Zemskova
;
J. Allen Haynes
;
Theodore M. Besmarm
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
71.
In-situ preparation of Ti-containing Ta_2O_5-films by halide CVD
机译:
原位制备卤化物CVD的含Ti的Ta_2O_5膜
作者:
Katarina Forsgren
;
Anders Harsta
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
72.
SYSTEMATIC APPROACH TO CONTROLLING ABNORMAL STRUCTURES GROWTH IN CVD - SIMULATION OF NODULE STRUCTURE EVOLUTION -
机译:
控制CVD中异常结构生长的系统方法 - 结节结构演化模拟 -
作者:
Y.Egashira
;
T.Mina
;
K.Ueyama
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
73.
ACTIVATION ENERGY STUDY FOR THE NUCLEATION AND GROWTH STAGES OF Cu(TMVSXHFAC) SOURCED COPPER CVD
机译:
Cu(TMVSXHFAC)核心铜CVD成核和生长阶段的活化能量研究
作者:
D. Yang
;
J. Hong
;
D. F. Richards
;
T. S. Cale
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
74.
DIAGNOSTICS OF METALOROANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF (Ba,Sr)TiO_3 FILMS BY MICRODIS- CHARGE OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY
机译:
微直接电荷光发射光谱法诊断(BA,SR)TiO_3薄膜的核心化学气相沉积
作者:
Shun Momose
;
Toshihiro Nakamura
;
Kunihide Tachibana
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
75.
Quality Improvement of SiO_2-Films by Adding Foreign Gases in Photo-Chemical Vapor Deposition
机译:
通过在光学化学气相沉积中加入异物的SiO_2膜质量改进
作者:
Yoshikazu Motoyama
;
Jyun-ichi Miyano
;
Tetsurou Yokoyama
;
Kiyohiko Toshikawa
;
Tadashi Mori
;
Hiroyuki Mutou
;
Kou Kurosawa
;
Atsushi Yokotani
;
Wataru Sasaki
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
SiO_2-films;
foreign gas;
photo-chemical vapor deposition;
Xe_2 excimer lamp;
tetraethoxyorthosilicate;
gap filling effect;
leak current characteristics;
76.
KINETIC AND MECHANISTIC STUDIES OF THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF Ti-Si-N THIN FILMS WITH Ti(NMe_2)_4 (TDMAT), NH_3, and SiH_4
机译:
Ti(NME_2),NH_3和SIH_4,Ti-Si-N薄膜化学气相沉积的动力学和机械研究
作者:
Edward T. Norton
;
Carmela Amato-Wierda
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
77.
MEASUREMENT OF THE KINETICS OF THE HIGH TEMPERATURE OXIDATION OF TiCl_4
机译:
测量Ticl_4的高温氧化动力学
作者:
Ram Raghavan
;
David C. Lee
;
Deborah A. Conrad
;
Philip W. Morrison
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
78.
Characterisation of Ta_2O_5 films prepared by ALCVD
机译:
ALCVD制备的TA_2O_5薄膜的表征
作者:
Katarina Forsgren
;
Jonas Sundqvist
;
Anders Harsta
;
Kaupo Kukli
;
Jaan Aarik
;
Aleks Aidla
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
79.
MOCVD OF CHROMIUM CARBIDE FROM BIS-ETHYL- BENZENE-CHROMIUM
机译:
来自双乙基 - 苯 - 铬的碳化铬的MOCVD
作者:
V. K. Wunder
;
M. Satschko
;
N. Popovska
;
H. Gerhard
;
G. Emig
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
80.
A STAGNATION-FLOW MOCVD REACTOR FOR INTELLIGENT DEPOSITION OF YBCO THIN FILMS
机译:
用于YBCO薄膜智能沉积的停滞物流MOCVD反应器
作者:
A.B. Tripathi
;
D.A. Boyd
;
M.A. Gallivan
;
H.A. Atwater
;
R.M. Murray
;
D.G. Goodwin
;
L.R. Raja
;
R.J. Kee
;
J. Musolf
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
81.
CHARACTERISATION OF TI-W-C THIN FILMS DEPOSITED BY CVD
机译:
CVD沉积的Ti-W-C薄膜的表征
作者:
Carmela C. Amato-Wierda
;
Hua Xia Ji
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
82.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF LOW TRAP DENSITY SiGe QUANTUM WELL LAYERS ON SILICON
机译:
低陷阱密度SiGe量子阱层硅的化学气相沉积
作者:
S. Kar
;
P. Zaumseil
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
83.
MODELING PARTICLE NUCLEATION DURING THERMAL CVD OF SILICON FROM SILANE USING KINETIC MONTE CARLO SIMULATION
机译:
使用动力学Monte Carlo仿真在硅烷的硅热CVD期间建模粒子成核
作者:
Xuegeng Li
;
Mark T. Swihart
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
84.
Atomic layer deposition of high-kappa oxides
机译:
高κ氧化物的原子层沉积
作者:
Mikko Ritala
;
Kaupo Kukli
;
Marko Vehkamaki
;
Timo Hanninen
;
Timo Hatanpaa
;
Petri I.Raisanen
;
Markku Leskela
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
85.
EVALUATION OF PRECURSORS FOR THE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION OF TIN OXIDE
机译:
氧化锡化学气相沉积的前体评价
作者:
A.M.B. van Mol
;
G. R. Alcott
;
M.H.J.M. de Croon
;
C.I.M.A. Spee
;
J.C. Schouten
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
86.
PLATINUM THIN FILMS OBTAINED VIA MOCVD ON QUARTZ AND CaF_2 WINDOWS AS ELECTRODE SURFACES FOR IN SITU SPECTROELECTROCHEMISTRY
机译:
通过MOCVD在石英和CAF_2窗口获得铂薄膜作为原位光谱电化学的电极表面
作者:
S. Santi
;
G. Carta
;
S. Garon
;
L. Rizzo
;
G. Rossetto
;
P. Zanella
;
D. Barreca
;
E. Tondello
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
87.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ALUMINUM ON SILICON CARBIDE FOR THE INVESTIGATION OF THE INTERFACIAL MICROSTRUCTURE IN DISCONTINUOUSLY REINFORCED ALUMINUM
机译:
铝碳化硅硅化学气相沉积在不连续增强铝中界面微观结构的研究
作者:
Pablo Ortiz
;
Djar Oquab
;
Constantin Vahlas
;
Ian W. Hall
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
88.
Morphology of Carbon Micro-coils Grown by Catalytic Decomposition of Hydrocarbons
机译:
碳氢化合物催化分解生长的碳微卷的形态
作者:
X. Chen
;
Y. Hishikawa
;
W.-In Hwang
;
T. Kuzuya
;
S. Motojima
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
89.
Simplified CMP Planarization Process Module for Shallow Trench Isolation Applications
机译:
用于浅沟槽隔离应用的简化CMP平面化过程模块
作者:
Kerem Kapkin
;
Martin Mogaard
;
Todd Curtis
;
Johan deRuiter
;
Claude Artufel
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
90.
EVALUATION OF VARIOUS HYPOTHESES ON THE INFLUENCE OF NITROGEN ON DIAMOND GROWTH IN AN OXY-ACETYLENE TORCH REACTOR
机译:
评价各种假设对氧 - 乙炔炬反应器中金刚石生长的各种假设
作者:
M. Okkerse
;
M.H.J.M. de Croon
;
C.R. Kleijn
;
G.B. Marin
;
H.E.A. van den Akker
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
91.
SIMULATION OF SURFACE DIFFUSION OF SILICON AND HYDROGEN ON SINGLE CRYSTAL SILICON SURFACES
机译:
单晶硅表面硅和氢表面扩散的仿真
作者:
Sweta Somasi
;
Bamin Khomami
;
Ronald Lovett
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
92.
A BENCHMARK SOLUTION FOR MULTI-DIMENSIONAL THERMAL CVD MODELING WITH DETAILED CHEMISTRY
机译:
具有详细化学的多维热CVD模型的基准解决方案
作者:
C.R. Kleijn
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
93.
GROWTH OF HEXAGONAL GaN FILMS BY MOCVD USING NOVEL SINGLE PRECURSORS
机译:
MOCVD使用新型单型前体的MOCVD生长六边形GaN薄膜
作者:
Chang G. Kim
;
Seung H. Yoo
;
Joo H. Lee
;
Young K. Lee
;
Myung M. Sung
;
Yunsoo Kim
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
94.
GROWTH KINETICS AND MECHANISTIC STUDIES OF GaN THIN FILMS GROWN BY OMVPE USING (N_3)_2Ga(CH_2)_3NMe_2 AS SINGLE SOURCE PRECURSOR
机译:
使用(N_3)_2GA (CH_2)_3NME_2作为单源前兆的OMVPE生长动力学和机械研究。
作者:
A. Wohlfart
;
A. Devi
;
W. Rogge
;
R. A. Fischer
;
J. Schaefer
;
J. Wolfrum
;
M. D. Allendorf
;
C.F. Melius
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
OMVPE;
group-III nitrides;
single source precursors;
azides;
mechanistic studies;
95.
ULTRA THIN TiO_2 FILMS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
超薄TiO_2薄膜通过原子层化学气相沉积沉积
作者:
Mikael Schuisky
;
Kaupo Kukli
;
Aleks Aidla
;
Jaan Aarik
;
Mikael Ludvigsson
;
Anders Harsta
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
96.
SiO_2 Depostion Mechanism in Photo-Chemical Vapor Deposition Using Vacuum Ultraviolet Excimer Lamp
机译:
使用真空紫外线准分灯的光学化学气相沉积SiO2沉积机理
作者:
Junichi Miyano
;
Yoshikazu Motoyama
;
Kiyohiko Toshikawa
;
Tetsurou Yokoyama
;
Hiroyuki Mutou
;
Kou Kurosawa
;
Atsushi Yokotani
;
Wataru Sasaki
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
关键词:
photo-chemical vapor deposition;
vacuum ultraviolet (VUV);
excimer lamp;
tetraethoxyorthosilicate (TEOS), SiO_2;
97.
MOCVD OF WN_x THIN FILMS USING NOVEL IMIDO PRECURSORS
机译:
Wn_x薄膜的MOCVD使用新型酰亚胺前体
作者:
Steven W. Johnston
;
Carlos G. Ortiz
;
Omar J. Bchir
;
Yue Zhang
;
Lisa McElwee-White
;
Timothy J. Anderson
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
98.
NANOSTRUCTURES BY CVD ASSISTED METHODS USING INORGANIC PRECURSORS
机译:
CVD辅助方法使用无机前体的纳米结构
作者:
P. Doppelt
;
R. Even
;
F. Marchi
;
V. Bouchiat
;
H. Dallaporta
;
S. Safarov
;
D. Tonneau
;
P. Hoffmann
;
F.Cicoira
;
I. Utke
;
B. Dwir
;
K.Leifer
;
E. Kapon
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
99.
Nanocrystals Formation and Microstructure Evolution of Amorphous Si and Si_(0.7)Ge_(0.3) by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition
机译:
用低压化学气相沉积形成无定形Si和Si_(0.7)Ge_(0.7)的纳米晶体形成和微观结构演化
作者:
Tae-Sik Yoon
;
Dong-Hoon Lee
;
Jang-Yeon Kwon
;
Ki-Bum Kim
;
Seok-Hong Min
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
100.
Chemical Vapor Deposition of MoS_2 on and in TiN Coatings
机译:
MOS_2上和锡涂层的化学气相沉积
作者:
H.Keune
;
G. Wahl
;
W. Lacom
会议名称:
《International Symposium on Chemical Vapor Deposition》
|
2000年
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