防止选择性外延生长的硅损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存

摘要

本发明提供了防止选择性外延生长的硅损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存，所述方法包括，从沟道孔制备工艺到栅极线槽磷酸刻蚀氮化物牺牲介质层的过程中，在至少一个沟道孔结构刻蚀进行前，去除Si衬底背面的膜层，并通过后续沉积的多晶硅将衬底前面和后面电连接以释放刻蚀过程中产生的电荷；从而防止磷酸刻蚀过程中发生电化学反应而对选择性外延生长的硅造成损坏。进而可以防止3D结构的崩塌，并且降低底部选择栅极失效率；获得更高的产品收得率。