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黄三维; 李英阁; 韩国军;
广东工业大学 信息工程学院 广东 广州 510006;
与非型闪存; 闪存测试; 层间制程差异; 3D堆叠技术; 串堆叠; 阈值电压分布; 可靠性; 固态硬盘; 存储系统;
机译:20nm以下NAND闪存中陷阱辅助隧穿机制的保留特性研究
机译:通过缩小多晶硅体厚度和3D NAND闪存的晶粒尺寸研究瞬态电流特性
机译:NAND闪存7月至9月全球销量增长20%由于3D过渡,单价上涨
机译:与2D浮栅MLC NAND闪存相比,用于SCM / NAND闪存混合SSD的3D电荷陷阱TLC NAND闪存具有20%的系统性能增益
机译:3D纺织复合材料的层间性能
机译:3D NAND闪存记忆中的随机电报噪声
机译:13.2用于3D集成NaND闪存ssD的1.8V 30nJ自适应编程电压(20V)发生器
机译:评估3D NaND闪存的辐射敏感性。
机译:用于减少位线之间电容差异的3D通道堆叠NAND闪存阵列
机译:代表对 u0440 u0435 u0432中的 u0437 u0432 u0443 u043a u043e u043f u043e u043e u0433 u043b u043e u0449 u0430 u044e u0449 u0438 u0445元素的声学特性的研究 u0435 u0440 u0431 u0435 u0440 u0430 u0446 u0438 u043e u043d u043d u043e u0439单元格
机译:u0440 u0435 u0432 u0435 u0440 u0431 u0435 u0440 u0430 u0446 u0438 u043e u043d u043d u043e u0439单元中对象的声学特性的研究
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