公开/公告号CN103928294B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201310014766.0
发明设计人 林静;
申请日2013-01-15
分类号
代理机构上海光华专利事务所;
代理人李仪萍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:50:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
授权
授权
2014-08-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130115
实质审查的生效
2014-07-16
公开
公开
机译: 在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译: 从硅衬底表面上去除碳污染层以随后在其上进行选择性硅外延生长的方法以及用于选择性硅外延生长的设备
机译: 从硅衬底表面上去除碳污染层以随后在其上进行选择性硅外延生长的方法以及用于选择性硅外延生长的设备