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【24h】

Suppression of antiphase disorder in GaAs grown on relaxed GeSi buffers by metalorganic chemical vapor deposition

机译：通过有机金属化学气相沉积抑制在弛豫的GeSi缓冲液上生长的GaAs中的反相无序

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Due to the prohibitively high 4.1

机译：由于过高的4.1

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来源
《Defect and impurity engineered semiconductors II》|1998年|p.107-112|共6页
会议地点 San Francisco CA(US)
作者
S.M.Ting; S.B.Samavedam; M.T.Currie; T.A.Langdo; E.A.Fitzgerald;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
入库时间 2022-08-26 14:19:56

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