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彭补之;
温度; GaAs(100)晶面; 低压金属有机化学气相沉积; TiO2; 薄膜生长; 影响;
机译:(100)GaAs衬底上通过金属有机化学气相沉积TiO2薄膜对生长的热影响
机译:金属有机化学气相沉积在p-Si(100)衬底上生长的BaTiO3薄膜的温度依赖性透射率研究
机译:金属有机化学气相沉积生长的GaAs(100)上HgCdTe(100)中的位错分布
机译:金属有机化学气相沉积在(100)和(111)GaAs上的立方GaN的外延生长和结构,光学性质
机译:通过金属有机化学气相沉积在R平面氧化铝上生长的氧化锌薄膜的特性。
机译:通过金属有机化学气相沉积在硅(100)上无催化剂的InP纳米线生长阶段
机译:低压金属有机化学气相沉积在Gaas衬底上生长InTlsb / Insb的表征
机译:金属有机化学气相沉积在硅衬底上生长的GaAs外延层中δ掺杂的方法
机译:通过在硅衬底上生长的GaAs外延层的金属有机化学气相沉积来形成δ掺杂层的方法
机译:借助金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长平面非极性(1-100)m平面氮化镓
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