机译:金属有机化学气相沉积生长的GaAs(100)上HgCdTe(100)中的位错分布
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-01, Japan;
CdTe buffer; dislocation; etch pit density (EPD); HgCdTe; incorporation of dislocations; lattice mismatch strain; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); slip plane;
机译:锑对金属有机化学气相沉积法生长InAs / Sb:GaAs(100)量子点密度的影响
机译:GaAs(100)衬底上通过金属有机化学气相沉积法生长的立方GaN中的光学跃迁
机译:通过金属有机化学气相沉积在[100] Si上生长的InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:金属有机化学气相沉积在(100)和(111)GaAs上的立方GaN的外延生长和结构,光学性质
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:金属有机化学气相沉积外延生长的锗纳米柱太阳能电池
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长GaN / GaAs(100)的初始阶段