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Symposium on defect and impurity engineered semiconductors
Symposium on defect and impurity engineered semiconductors
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1.
Highly efficient nitrogen doping into GaAs using low-energy nitrogen molecular ions
机译:
使用低能量氮素分子离子掺杂进入GaAs的高效氮气
作者:
T.Shima
;
Y.Makita
;
S.Kimura
;
H.Sanpel
;
Y.Fukuzawa
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
2.
Ion yield, sputter rate, and SIMS matrix effects in quantitative analysis of (Al_xGa_(1-x))_(0.5)N_(0.5)
机译:
离子产量,溅射率和SIMS矩阵的定量分析(AL_XGA_(1-x))_(0.5)N_(0.5)
作者:
D.L.Lefforge
;
Y.L.Chang
;
M.Ludowise
;
E.L.Allen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
3.
A novel detcction system for defects and chemical contamination in semiconductors based upon the scanning kelvin probe
机译:
基于扫描的Kelvin探针的半导体缺陷和化学污染的一种新型DECCED系统
作者:
B.Lagel
;
I.D.Baikie
;
U.Petermann
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
4.
Theoretical analysis of the minority carrier lifetime in a multicrystalline wafer with spatially varying defect distribution
机译:
具有空间变化缺陷分布的多晶硅晶片中少数载体寿命的理论分析
作者:
B.Sopori
;
W.Chen
;
N.M.Ravindra
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
5.
Impurity segregation in Al doped GaSb studied by cathodoluminescence microscopy
机译:
通过阴极发光显微镜研究的Al掺杂气体中的杂质偏析
作者:
P.Hidalgo
;
B.Mendez
;
J.Piqueras
;
P.S.Dutta
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
6.
Electrical properties of iron-related defects in CZ- and FZ-grown n-type silicon
机译:
CZ-和FZ-生长的N型硅中铁相关缺陷的电气性质
作者:
H.Kitagawa
;
S.Tanaka
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
7.
Electronically-enhanced reaction of process-induced defects in GaAs
机译:
在GaAs中的过程诱导的缺陷的电子增强反应
作者:
K.Wada
;
H.Nakanishi
;
K.Yamada
;
L.C.Kimerling
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
8.
Solutions to gate oxide integrity on TFSOI substrates caused by PMOS threshold-voltage implant
机译:
PMOS阈值电压植入物引起的TFSOI基板上的栅极氧化物完整性的解决方案
作者:
S.Q.Hong
;
T.Wetteroth
;
S.R.Wison
;
B.Steele
;
D.K.Schroder
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
9.
Behavior of electron traps induced by phosphidizaiton and nitridationof GaAs surfaces
机译:
磷酸盐和氮化氮的电子陷阱的行为和GaAs表面
作者:
S.Nozu
;
K.Matsuda
;
T.Sugino
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
10.
Fast redistribution of boron impurity in Si during ion irradiation
机译:
离子照射期间SI中硼杂质的快速再分配
作者:
A.N.Buzynin
;
A.E.Lukyanov
;
V.V.Osiko
;
V.V.Voronkov
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
11.
Discovery of long-range order in thin (2-20 nm) SiO_2 films by ion-beam analysis
机译:
通过离子束分析发现薄(2-20nm)SiO_2薄膜的远程顺序
作者:
N.Herbots
;
V.Atluri
;
Q.B.Hurst
;
J.M.Shaw
;
S.Banerjee
;
J.D.Bradley
;
R.J.Culbertson
;
D.J.Smith
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
12.
Influence of metal contamination on minority carrier diffusion length and oxide charge
机译:
金属污染对少数型载波扩散长度和氧化物电荷的影响
作者:
J.Sakuma
;
Y.Okui
;
M.Miyazawa
;
F.Inoue
;
M.Miyajima
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
13.
Aluminum and electron-irradiation-induced deep levels in n-type and p-type 6H-SiC
机译:
铝和电子辐照诱导的n型和p型6h-siC的深层水平
作者:
M.Gong
;
C.D.Beling
;
S.Fung
;
G.Brauer
;
H.Wirth
;
W.Skorupa
;
Z-P.You
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
14.
Compliant substrates with an embedded twist boundary
机译:
符合嵌入式扭曲边界的柔顺基材
作者:
Y.M.Lo
;
Z.H.Zhu
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
15.
Injection-level spectroscopy of metal impurities in silicon
机译:
硅中金属杂质注射液体光谱
作者:
R.K.Ahrenkiel
;
S.Johnston
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
16.
Evidence of defect migrationand clustering in MeV heavy ion damaged silicon
机译:
MEV重离子损坏硅中缺陷迁移和聚类的证据
作者:
Y.N.Mohapatra
;
P.K.Giri
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
17.
Aluminum acceptors in inequivalent sites in 4H-SiC
机译:
4H-SIC中不等价位点的铝制受体
作者:
S.R.Smith
;
A.O.Evwaraye
;
W.C.Mitchel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
18.
Influence of defect clusters on the performance of silicon solar cells
机译:
缺陷簇对硅太阳能电池性能的影响
作者:
B.Sopori
;
W.Chen
;
K.Nemire
;
J.Gee
;
S.Ostapenko
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
19.
Defect formation during sublimation bulk crystal growth of silicon carbide
机译:
碳化硅升华散装晶体生长期间的缺陷形成
作者:
N.Ohtani
;
J.Takahashi
;
M.Katsuno
;
M.Yashiro
;
M.Kanaya
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
20.
Recent progress in crystal grwoth and conductivity control of wide-bandgap group-III nitride semiconductors
机译:
宽带隙组-III氮化物半导体晶体生长和电导控制的最新进展
作者:
I.Akasaki
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
21.
The engineering of silicon water material properties through vacancy concentration profile control and the achievement of ideal oxygen precipitation behavior
机译:
通过空位浓度曲线控制和理想氧气降沉淀行为的硅水材料特性工程
作者:
R.Falster
;
D.Gambaro
;
M.Olmo
;
M.Comara
;
H.Korb
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
22.
Electrons and defects in semiconductors
机译:
半导体中的电子和缺陷
作者:
H.J.Queisser
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
23.
A nonvolatile MOSFET memory device based on mobile protons in the gate dielectric
机译:
一种基于栅极电介质移动质子的非易失性MOSFET存储器件
作者:
K.Vanheusden
;
W.L.Warren
;
D.M.Fleetwood
;
R.A.B.Devine
;
B.L.Draper
;
J.R.Schwank
;
M.R.Shaneyfelt
;
P.S.Winokur
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
24.
Systematic analyses of practical problems related to defects and metallic impurities in silicon
机译:
硅中缺陷和金属杂质相关的实际问题的系统分析
作者:
Y.Kitagawara
;
H.Takeno
;
S.Tobe
;
Y.Hayamizu
;
T.Koide
;
T.Takenaka
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
25.
Advanced knowledge for impurity motion of oxygen in silicon and its application to defect-state analysis
机译:
硅氧烷杂质运动的先进知识及其在缺陷状态分析中的应用
作者:
H.Yamada-Kaneta
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
26.
Noble gas induced defects in silicon
机译:
惰性气体诱导硅的缺陷
作者:
J.Weber
;
S.K.Estreicher
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
27.
Deuterium sintering of CMOS technology for improved hot carrier reliability
机译:
CMOS技术的氘烧结,提高热载体可靠性
作者:
J.Lee
;
Z.Chen
;
K.Hess
;
J.W.Lyding
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
28.
Point defects in relaxed Si_(1-x)Ge_x alloy layers
机译:
轻松的Si_(1-x)Ge_x合金层的点缺陷
作者:
A.Mesli
;
A.N.Larsen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
29.
Smart-cut circle R technology: an industrial application of ion-implantation-induced cavities
机译:
智能切割圆形R技术:离子植入诱导腔的工业应用
作者:
B.Aspar
;
C.Lagahe
;
H.Moriceau
;
A.Souble
;
M.Bruel
;
A.J.Auberton-Herve
;
T.Barge
;
C.Maleville
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
30.
Investigation of influence of thermal and radiation processing on impurity centers in silicon and silicon-based structuers
机译:
硅和硅基结构中热和辐射加工对杂质中心影响的研究
作者:
M.Ashurov
;
Sh.Makhkamov
;
N.A.Tursunov
;
S.V.Martynchenko
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
31.
Phosphorus passivation of GaAs
机译:
GaAs的磷钝化
作者:
S.P.Watkins
;
X.Xu
;
J.Hu
;
R.Ares
;
P.Yeo
;
D.A.Harrison
;
M.L.W.Thewalt
;
C.R.Bolognesi
;
A.J.Springthorpe
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
32.
Behavior of deep defects after hydrogen passivation in ZnTe studied by photoluminescence and photoconductivity
机译:
光致发光和光电导性研究ZnTe氢钝化后深度缺陷的行为
作者:
S.Bhunia
;
D.N.Bose
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
33.
Comparison of device performance fabricated on thick SOI and bulk wafers
机译:
厚SOI和散装晶片上制造的装置性能的比较
作者:
A.Sasaki
;
E.Mitsuhida
;
H.Abe
;
Y.Yoshii
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
34.
Near-surface defect distribution in silicon under etching
机译:
蚀刻下硅的近表面缺陷分布
作者:
N.A.Yarykin
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
35.
Baseline particle reduction of downstream oxide etchers etching contacts and vias
机译:
蚀刻触点和通孔的下游氧化物蚀刻器的基线颗粒减少
作者:
B.Williams
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
36.
Peculiarities of Zn diffusion frompolymer spin-on films in AlGaAs
机译:
Zn扩散的特点来自聚合物旋转膜在Algaas中
作者:
A.V.Kamanin
;
A.M.Mintairov
;
N.M.Shmidt
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
37.
Engineering dislocation dynamics in In_x(Al_yGa_(1-y))_(1-x)P graded buffers grown on GaP by MOVPE
机译:
IN_X中的工程位错动态(AL_YGA_(1-y))_(1-x)P MOVPE在GAP上种植的分级缓冲区
作者:
A.Y.Kim
;
E.A.Fitzgerald
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
38.
Schottky-barrier modificationof low-energy Ar-ion bombarded GaAs and Si
机译:
低能量Ar离子轰击GaAs和Si的肖特基 - 屏障修改
作者:
F.N.K.Deenapanray
;
F.D.Auret
;
S.A.Goodman
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
39.
The transformations of the EL6 deep-level defect in n-GaAs: is EL6 a DX-like Center?
机译:
N-GaAs的EL6深度缺陷的变换:是EL6 A类似的中心吗?
作者:
C.V.Reddy
;
S.Fung
;
C.D.Beling
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
40.
Limiting factors of backside external gettering by nanocavities and aluminum-silicon alloying in silicon wafers
机译:
硅晶圆中纳米宽度和铝 - 硅的背面外部吸气的限制因素
作者:
N.Gay Henquinet
;
S.Martinuzzi
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
41.
Thermal stabilizaiton of nonstoichiometric GaAs through beryllium doping
机译:
通过铍掺杂的非特性计量GaAs的热稳定功
作者:
R.C.Lutz
;
P.Specht
;
R.Zhao
;
S.Jeong
;
J.Bokor
;
E.R.Weber
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
42.
Controlled surface fermi-level on the SeS_2-Passivated n-GaAs(100)
机译:
SES_2钝化的N-GAAs(100)上的受控表面费米级
作者:
J.Sun
;
F.J.Himpsel
;
T.F.Kuech
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
43.
Electrical characterization of 1 keV He-, Ne-, and Ar-ion bombarded n-Si using deep level transient spectroscopy
机译:
使用深度瞬态光谱法轰击N-Si的1keV He-,Ne-和Ar离子的电气表征
作者:
P.N.K.Deenapanray
;
F.D.Auret
;
M.C.Ridgway
;
S.A.Goodman
;
G.Myburg
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
44.
Ion implantation-induced defects and the influence of titanium silicidation
机译:
离子植入诱导的缺陷和钛硅化的影响
作者:
D.Z.Chi
;
S.Ashok
;
D.Theodore
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
45.
The effect of doping on nitrogen activationenergy level in 4H-SiC
机译:
掺杂对4H-SIC氮活化产量水平的影响
作者:
A.O.Evwaraye
;
S.R.Smith
;
W.C.Mitchel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
46.
Formation energy of interstitial Si in Au-doped Si
机译:
Au-Doped Si中间质Si的形成能量
作者:
M.Suezawa
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
47.
Recombination strength of intra- and inter-grain defects in crystalline silicon investigated by low temeprature LBIC scan Maps
机译:
低温LBIC扫描地图研究了晶体硅中和谷物内缺损的重组强度
作者:
I.Perichaud
;
S.Martinuzzi
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
48.
Point defect characterization of Zn- and Cd-based semiconductors using positiron annihilation techniques
机译:
使用Positiron湮灭技术点缺陷Zn和Cd基半导体的表征
作者:
G.Tessaro
;
P.Mascher
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
49.
Control of the Sb redistribution in strained SiGe layers using point-defect injection
机译:
使用点缺陷注射控制紧张SiGe层中的SB再分配
作者:
A.Yu
;
Kuznetsov
;
J.Cardenas
;
J.V.Grahn
;
B.G.Svensson
;
A.N.Larsen
;
J.Lundsgaard Hansen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
50.
Intrinsic gettering of nickel and copper for advanced low-temperature device processes
机译:
用于先进的低温装置工艺的镍和铜的内在吸气
作者:
S.Ogushi
;
N.Reilly
;
S.Sadamitsu
;
Y.Koike
;
M.Sano
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
51.
Characterization of a metastable defect introduced in epitaxially grown boron-doped Si by 5.4 MeV #alpha#-particles
机译:
在5.4meV#α#-particles中表征外延生长的硼掺杂Si中的亚稳态缺陷
作者:
M.Mamor
;
F.D.Auret
;
S.A.Goodman
;
W.E.Meyer
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
52.
Carbon doping into GaAs using low-energy hydrocarbon ions
机译:
使用低能量烃离子掺杂进入GaAs的碳
作者:
H.Sanpei
;
T.Shima
;
Y.Makita
;
S.Kimura
;
Y.Fukuzawa
;
Y.Nakamura
;
A.Sandhu
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
53.
Picosecond time-resolved studies of defect-related recombination in high resistivity CdTe, CdZnTe
机译:
PICOSECOND在高电阻率CDTE中缺陷相关重组的时间分辨研究,CDZNTE
作者:
G.Ghislotti
;
D.Ielmini
;
E.Riedo
;
M.Martinelli
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
54.
Measurement of the temperature dependence of silicon recombination lifetimes
机译:
测量硅重组寿命的温度依赖性
作者:
S.Johnston
;
R.K.Ahrenkiel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
55.
Charge state of copper-silicide precipitates in silicon and its application to the understanding of copper precipitation kinetics
机译:
硅化铜硅化铜的电荷状态及其在铜沉淀动力学理解中的应用
作者:
A.A.Istratov
;
O.F.Vyvenko
;
C.Flink
;
T.Heiser
;
H.Hiesimair
;
E.R.Weber
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
56.
Hydrogenation and defect creation in GaAs-based devices during high-density plasma processing
机译:
高密度等离子体处理期间GaAs基装置中的氢化与缺陷创建
作者:
T.Maeda
;
J.W.Lee
;
C.R.Abenathy
;
S.J.Pearton
;
F.Ren
;
C.Constantine
;
R.J.Shul
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
57.
Influence of oxygen on Er-related emission in GaN with a large yellow band
机译:
氧气对大型黄乐队甘尔相关排放的影响
作者:
S.Uekusa
;
T.Goto
;
M.Kumagai
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
58.
An investigation of the limit of detection and the scattering dependence of the optical precipitate profiler (OPP)
机译:
对检测极限的研究与光学沉淀分析器(OPP)的散射依赖性
作者:
L.Mulestagno
;
D.E.Hill
;
R.Standley
;
M.Olmo
;
J.C.Holzer
;
R.Falster
;
P.Fraundorf
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
59.
The impact of rapid thermal annealing on the properties of the Si(100)-SiO_2 interface
机译:
快速热退火对Si(100)-SiO_2接口的性质的影响
作者:
P.K.Hurley
;
C.Levugle
;
A.Mathewson
;
D.Doyle
;
S.Whiston
;
J.Prendergast
;
P.Lundgren
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
60.
Damage in high energy light ions irradiated silicon carbide
机译:
高能光离子损坏照射碳化硅
作者:
P.Leveque
;
S.Godey
;
P.O.Renault
;
E.Ntsoenzok
;
J.F.Barbot
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
61.
Growth and luminescence properties of III-N:Er materials doped during chemical-beam epitaxy
机译:
III-N:ER材料的生长和发光性质在化学束外延掺杂
作者:
J.D.MacKenzie
;
C.E.Abernathy
;
S.J.Perton
;
U.Hommerich
;
J.T.Seo
;
F.Ren
;
R.G.Wilson
;
P.Chen
;
J.M.Zavada
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
62.
Characterization of the subthreshold damage in MeV ion-implanted p Si
机译:
MEV离子植入p si中亚阈值损伤的表征
作者:
S.Fatima J.Wong-Leung
;
J.Fitz Gerald
;
C.Jagadish
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
63.
Suppression of antiphase disorder in GaAs grown on relaxed GeSi buffers by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属化学气相沉积在轻松的GESI缓冲器上生长的GaAs中的抗磷酶障碍的抑制
作者:
S.M.Ting
;
S.B.Samavedam
;
M.T.Currie
;
T.A.Langdo
;
E.A.Fitzgerald
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
64.
Evaluating the denuded zone depth by measurements of the recombination activity of bulk defects
机译:
通过测量散装缺陷的重组活性来评估裸露的区域深度
作者:
M.L.Polignano
;
M.Brambilla
;
F.Cazzaniga
;
G.Pavia
;
F.Zanderigo
;
S.Spiga
;
L.Moro
;
A.Castaldini
;
A.Cavallini
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
65.
Investigation of the effect of thermal history on ring-OSF formation in CZ-silicon crystals
机译:
热史对CZ-硅晶体环OSF形成的影响研究
作者:
G.P.Kelly
;
M.Hourai
;
S.Umeno
;
M.Sano
;
H.Tsuya
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
66.
Vacancy-type defects in electron and proton-irradiated II-VI compounds
机译:
电子和质子辐照的II-VI化合物的空位型缺陷
作者:
S.Brunner
;
W.Puff
;
P.Mascher
;
A.G.Balogh
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
67.
Plasma chemistry study of plasma ion implantation doping for CMOS devices
机译:
等离子体离子植入掺杂对CMOS器件的血浆化学研究
作者:
S.Qin
;
Y.Zhou
;
C.Chan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
68.
Iron and nickel solubilities in heavily-doped silicon and their energy levels in the silicon bandgap at elevated temepratures
机译:
掺杂硅硅的铁和镍溶解及其在硅带隙升高时的硅片凝固率
作者:
S.A.McHugo
;
R.J.McDonald
;
A.R.Smith
;
D.L.Hurley
;
A.A.Istratov
;
H.Hieslmair
;
E.R.Weber
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
69.
Defect engineering in ion-implanted diamond
机译:
离子植入钻石中的缺陷工程
作者:
A.A.Gippius
;
R.A.Khmelnitski
;
V.A.Dravin
;
S.D.Tkachenko
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
70.
Characterization of the structure and polarity of twin boundaries in GaP
机译:
间隙中双界结构和极性的表征
作者:
D.Cohen
;
D.L.Medlin
;
C.B.Carter
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
71.
Charge redistribution and defect relaxation in heavily damaged silicon studied using time analyzed transient spectroscopy
机译:
使用时间分析的瞬态光谱学研究了严重损坏的硅的充电再分配和缺陷放松
作者:
Y.N.Mohapatra
;
P.K.Giri
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
72.
Edge effects of nitride film paterning on dislocation generation inlocal oxidationof silicon
机译:
氮化物膜图案化对硅局部氧化脱位发电的边缘效应
作者:
I.V.Peidous
;
R.Sundaresan
;
E.Quek
;
C.K.Lau
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
73.
Hydrogen-enhanced defect reactions in silicon: interstitial atom-vacancy
机译:
硅中的氢气增强缺陷反应:间隙原子空缺
作者:
A.N.Nazarov
;
V.M.Pinchuk
;
T.V.Yanchuk
;
V.S.Lysenko
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
74.
Comparison of oxygen and hydrogen gettering at high-temperature postimplantation annealing of hydrogen- and helium- implanted czochralski silicon
机译:
氧气和氢气升温退火的氧气与氦气植入型Czochralski硅的比较
作者:
R.Job
;
W.R.Fahrner
;
A.I.Ivanov
;
L.Palmetshofer
;
A.G.Ulyashin
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
75.
Studies of the microscopic nature of Cu pairs in Silicon
机译:
硅中CU对微观性质的研究
作者:
A.A.Istratov
;
T.Heiser
;
H.Hieslmair
;
C.Flink
;
E.R.Weber
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
76.
Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization
机译:
太赫兹隧道电离的半导体深杂质的表征
作者:
E.Ziemann
;
S.D.Ganichev
;
I.N.Yassievich
;
K.Schmalz
;
W.Prettl
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
77.
Donor neutralization by fluorine containing plasmas in Si-doped N-type GaAs crystals
机译:
在Si掺杂的N型GaAs晶体中通过含氟含有氟的含氟量的供体中和
作者:
J.Wada
;
Y.Matsukura
;
T.Ogihara
;
Y.Furukawa
;
H.Tanaka
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
78.
New approach to 'high-temperature' quantum switch and quantum field-effect transistor
机译:
“高温”量子开关和量子场效应晶体管的新方法
作者:
E.Z.Meilikhov
;
B.A.Aronzon
;
D.A.Bakaushin
;
V.V.Rylkov
;
A.S.Vedeneev
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
79.
Effect of oxygen on the formation of dryetching damage introduced into si-substrate
机译:
氧气对诸如Si-衬底引入搅拌损伤形成的影响
作者:
K.Hamada
;
T.Kitano
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
80.
Hydrogen diffusionin boron-doped diamond: evidence of hydrogen-boron interactions
机译:
氢扩散型硼掺杂金刚石:氢硼相互作用的证据
作者:
J.Chevallier
;
B.Theys
;
C.Grattepain
;
A.Deneuville
;
E.Gheeraert
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on defect and impurity engineered semiconductors》
|
1998年
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