机译:通过金属有机化学气相沉积生长完全弛豫的晶格不匹配的GaSb / GaAs / Si(001)异质结构
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
Yuan Ze Univ, Dept Photon Engn, Taoyuan 32003, Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30010, Taiwan;
机译:金属有机化学气相沉积法生长Al_2O_3 / In_(0.15)Ga_(0.85)Sb / GaSb / GaAs异质结构的材料生长和能带偏移的确定
机译:界面失配位错生长方式对金属有机化学气相沉积在GaAs衬底上生长的高度晶格失配的In_xGa_(1-x)Sb外延层的影响
机译:金属有机化学气相沉积法生长的高质量In0.28Ga0.72Sb / AlSb / GaSb / GaAs异质结构,用于单通道基于Sb的互补金属氧化物半导体应用
机译:通过有机金属化学气相沉积抑制在弛豫的GeSi缓冲液上生长的GaAs中的反相无序
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:金属有机化学气相沉积法生长GaSB / GaAs纳米线异质结构的结构特征
机译:GaInasp / Inp 1.35微米双异质结构激光器通过金属有机化学气相沉积在硅基板上生长