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关志强;
长春理工大学;
GaAs; InAs; 超晶格; 生长;
机译:金属有机气相外延法生长InAs衬底上砷掺入GaAsSb层厚度对InAs / GaAsSb超晶格的影响
机译:分子束外延生长的GaAs基InAs / GaSb超晶格短波红外探测器
机译:分子束外延生长的GaAs基InAs / GaSb超晶格短波长红外探测器
机译:用于中红外传感设备的InAs衬底上晶格匹配的InAs / GaAsSb超晶格的MOVPE生长
机译:II型InAs / GaSb超晶格红外光电探测器优化和门控光电探测器阵列实现。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:通过分子束外延在GaAs基材上生长在GaAs基材上的中空和龙波INAS / GASB超晶格的电气性质
机译:Inas / Gasb超晶格中Inas纳米线晶格的自发生长
机译:GAAS上重晶格错位的INGAAS和INA / AS的二维表观生长的方法
机译:II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的极性反转
机译:II型InAs / Gasb超晶格光电二极管的极性反转
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