Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete) 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki-ken 305-8569, Japan;
157-nm lithography; 0.90-NA; bilayer; silsesquioxane;
机译:使用纳米压印光刻和抗蚀剂图案转移技术在刚性和柔性基板上进行金属图案化工艺
机译:使用纳米压印光刻和抗蚀剂图案转移技术在刚性和柔性基板上进行金属图案化工艺
机译:157nm光刻用含氟聚合物的表征
机译:使用157-NM光刻 - (PPT)的65-NM节点技术的抗蚀模式转移过程 - (PPT)
机译:通过干扰光刻纳米制造:从图案化到图案转移
机译:负电阻双光子光刻技术的使用和加工以实现圆柱磁性纳米线
机译:含氟聚合物抗蚀剂的表征为157-nm光刻
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化